[发明专利]半导体封装构造及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：

S1：提供一晶圆；

S2：于所述晶圆的一第一表面进行第一次切割，以形成数个切槽，所述切槽将所述晶圆分成数个芯片单元，所述芯片单元包含第一表面，背对第一表面的第二表面及位于切槽内的侧面；

S3：形成一导电遮罩层于所述数个芯片单元上，以使所述导电遮罩层覆盖所述芯片单元的第一表面及侧面并填满所述切槽；

S4：对应所述切槽的位置对所述导电遮罩层进行第二次切割；以及

S5：于每一芯片单元未覆盖导电遮罩层的第二表面形成一接地导线连接所述导电遮罩层。

2.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在步骤S2中，所述切槽的深度小于所述晶圆的厚度；在步骤S4之后进一步包含步骤：

S4A：将所述晶圆倒置，从所述晶圆未受遮罩层覆盖的一第二表面对所述晶圆进行薄化处理，使所述芯片单元彼此分离。

3.如权利要求2所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在步骤S4A后进一步包含：

S4B：于每一芯片单元的薄化处理后的第二表面上设置电路层成为一有源表面。

4.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在步骤S1中，所述晶圆的第二表面预先设有电路层以成为一有源表面，且所述晶圆背对有源表面的背面经过薄化处理；在步骤S2中，所述切槽的深度是等于所述薄化处理后的晶圆的厚度，使所述芯片单元彼此分离，且每一芯片单元具有所述有源表面。

5.如权利要求3或4所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在步骤S5之后，另包含步骤：

S6：在每一所述芯片单元的第二表面的电路层上设置数个导电凸块，至少一个所述导电凸块通过所述接地导线电性连接所述导电遮罩层。

6.如权利要求4所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在步骤S6之后，进一步包含步骤：

S7：设置所述芯片单元于一基板上，并将一底胶填充于所述基板与芯片之间。

7.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，所述形成一导电遮罩层为电镀方法。

8.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述导电遮罩层的一侧部的厚度相对薄于所述遮罩层的一顶部的厚度；且所述导电遮罩层的侧部具有一切割表面，所述切割表面比所述导电遮罩层的顶部的表面粗糙。

9.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：

一基板；

一芯片单元，所述芯片单元包含第一表面，背对第一表面的第二表面及位于第一表面及第二表面之间的侧面，通过多个导电凸块设于所述基板的一表面上，所述导电凸块连接所述芯片单元的第二表面的一有源表面；

一底胶，涂布于所述芯片单元与所述基板之间；

一导电遮罩层，设置于所述芯片单元的第一表面及所述侧面，所述导电遮罩层用于覆盖所述芯片单元的侧面的一侧部具有一切割表面，所述切割表面比所述导电遮罩层的顶部的表面粗糙；以及

一接地导线，连接于所述遮罩层的侧部底缘与其中一所述导电凸块之间。

10.如权利要求9所述的半导体封装构造，其特征在于：所述导电遮罩层的侧部的厚度相对薄于所述导电遮罩层的一顶部的厚度。