[发明专利]具有保护结构的凸块有效
| 申请号： | 201210285329.8 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103035600A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 余振华;张宏宾;苏安治;吴仓聚;邱文智;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括形成在后钝化互连(PPI)线上并且被保护结构所包围的凸块结构。该保护结构包括聚合物层和至少一个介电层。介电层可形成为在聚合物层的顶面上，聚合物层的下方，插入到凸块结构和聚合物层之间，插入到PPI线和聚合物层之间，覆盖聚合物层的外侧壁或它们的组合。本发明还涉及具有保护结构的凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；钝化层，位于所述半导体衬底上方；后钝化互连(PPI)线，位于所述钝化层上方；保护结构，位于所述钝化层和所述PPI线上方；其中，所述保护结构具有至少暴露出部分所述PPI线的开口；以及凸块结构，形成在所述保护结构中并且穿过所述保护结构的所述开口与所述PPI线电连接；其中，所述保护结构包括聚合物层、形成在所述聚合物层下方的第一介电层以及形成在所述钝化层上方的第二介电层。
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