[发明专利]具有保护结构的凸块有效
| 申请号： | 201210285329.8 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103035600A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 余振华;张宏宾;苏安治;吴仓聚;邱文智;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 保护 结构 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
钝化层，位于所述半导体衬底上方；
后钝化互连(PPI)线，位于所述钝化层上方；
保护结构，位于所述钝化层和所述PPI线上方；其中，所述保护结构具有至少暴露出部分所述PPI线的开口；以及
凸块结构，形成在所述保护结构中并且穿过所述保护结构的所述开口与所述PPI线电连接；
其中，所述保护结构包括聚合物层、形成在所述聚合物层下方的第一介电层以及形成在所述钝化层上方的第二介电层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第一介电层由氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氧化硅、四乙基正硅酸盐(TEOS)氧化物、氧化硅或它们的组合形成。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二介电层由氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氧化硅、四乙基正硅酸盐(TEOS)氧化物、氧化硅或它们的组合形成。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述聚合物层具有大于30μm的厚度。
5.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
钝化层，位于所述半导体衬底上方；
后钝化互连(PPI)线，位于所述钝化层上方；
保护结构，位于所述钝化层和所述PPI线上方，其中，所述保护结构具有至少暴露出部分所述PPI线的开口；以及
凸块结构，形成在所述保护结构中并且穿过所述保护结构的所述开口与所述PPI线电连接；
其中，所述保护结构包括聚合物层和包围着所述聚合物层的介电层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述介电层由氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氧化硅、四乙基正硅酸盐(TEOS)氧化物、氧化硅或它们的组合形成。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述聚合物层通过所述介电层与所述凸块结构分隔开。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述聚合物层通过所述介电层与所述PPI线分隔开。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述聚合物层的所述顶面和外侧壁被所述介电层覆盖。
10.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述聚合物层具有大于30μm的厚度。
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