[发明专利]一种可图形化纳米多孔铜的制备方法有效
| 申请号： | 201210258430.4 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102766893A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 汪红;岳恒;杨卓青;丁桂甫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D5/02 | 分类号： | C25D5/02;C25D3/58;C25D5/48;C23F1/44;C22C1/08 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可图形化纳米多孔铜的制备方法，包括步骤：（1）玻璃片上，溅射Cr-Cu种子层，依次进行甩正性光刻胶、烘胶、曝光、显影处理，实现纳米多孔铜光刻胶结构的图形化；（2）采用电沉积技术进行铜应力缓冲层、Cu-Zn合金层的沉积，获得图形化的前驱合金薄膜；（3）将图形化的Cu-Zn前驱合金薄膜在酸性溶液中进行去合金化处理，然后再去正胶，最终实现可图形化的纳米多孔铜，得到纳米多孔铜阵列。本发明能够与微加工工艺兼容，具体利用光刻图形化技术、铜锌合金共沉积技术以及去合金化技术获得各种图形的纳米多孔铜阵列，该工艺方法简单、成本低、易于控制且与微加工工艺兼容性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 纳米 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可图形化纳米多孔铜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）玻璃片上，溅射Cr‑Cu种子层，依次进行甩正性光刻胶、烘胶、曝光、显影处理，根据设计的掩膜版形状，实现纳米多孔铜光刻胶阵列结构的图形化；（2）在已图形化的种子层上，采用电沉积技术进行铜应力缓冲层、Cu‑Zn合金层的沉积；（3）将上述图形化的Cu‑Zn合金层在酸性溶液中进行去合金化处理，然后再去正性光刻胶，最终实现可图形化的纳米多孔铜，得到纳米多孔铜阵列。
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