[发明专利]一种可图形化纳米多孔铜的制备方法

权利要求书

1.一种可图形化纳米多孔铜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）玻璃片上，溅射Cr-Cu种子层，依次进行甩正性光刻胶、烘胶、曝光、显影处理，根据设计的掩膜版形状，实现纳米多孔铜光刻胶阵列结构的图形化；

（2）在已图形化的种子层上，采用电沉积技术进行铜应力缓冲层、Cu-Zn合金层的沉积；

（3）将上述图形化的Cu-Zn合金层在酸性溶液中进行去合金化处理，然后再去正性光刻胶，最终实现可图形化的纳米多孔铜，得到纳米多孔铜阵列。

2.根据权利要求1所述的可图形化纳米多孔铜制备方法，其特征在于，所述纳米多孔铜阵列的结构与尺寸，均由掩膜版上的掩膜尺寸决定，形成阵列结构。

3.根据权利要求1所述的可图形化纳米多孔铜制备方法，其特征在于，所述纳米多孔铜阵列单元形状选用三角形、四边形、多边形、圆形、环形或条形。

4.根据权利要求1所述的可图形化纳米多孔铜制备方法，其特征在于，所述应力缓冲层是采用高分散硫酸铜电镀工艺制备的Cu电镀层，其厚度在10-20微米。

5.根据权利要求1-4任一项所述的可图形化纳米多孔铜制备方法，其特征在于，所述的Cu-Zn合金层，由于正性光刻胶的存在，是使用酸性Cu-Zn合金电镀体系通过电沉积实现。

6.根据权利要求5所述的可图形化纳米多孔铜制备方法，其特征在于，所述的Cu-Zn合金层，厚度为2-5微米，是由柠檬酸盐体系通过电镀铜锌共沉积获得。

7.根据权利要求6所述的可图形化纳米多孔铜制备方法，其特征在于，所述的柠檬酸盐体系为：硫酸铜0.0033mol/L~0.02mol/L，硫酸锌0.3mol/L，柠檬酸三钠0.5~0.6mol/L，柠檬酸0mol/L~0.05mol/L，pH值为5.2~5.5。

8.根据权利要求6所述的可图形化纳米多孔铜制备方法，其特征在于，所述的柠檬酸盐体系电镀铜锌共沉积的条件是：电流密度3~5mA/cm²，时间20~40min，温度20~30℃，搅拌速率300~500r/s。

9.根据权利要求1所述的可图形化纳米多孔铜制备方法，其特征在于，所述的去合金化处理用盐酸作为腐蚀液，去合金化条件为：盐酸浓度为0.01M~0.5M、去合金化时间0.5~6h，温度25~35℃。

10.根据权利要求1所述的可图形化纳米多孔铜制备方法，其特征在于，所述纳米多孔铜的孔径大小为50~200nm。