[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210201892.2 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN103178040A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 彭明灿;郑时龙;张翼;施境玮;郑泗东;张嘉华;陈宗麟;石亚文 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L25/07;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基材、III-V族晶体管、第一元件、第二元件、第一焊接线、第二焊接线与第三焊接线。III-V族晶体管位于基材上，并具有源极、漏极与栅极。第一元件位于基材上。第一元件为转接板。第二元件位于基材上。第二元件为二极管，并具有阳极与阴极。阳极电连接于基材。第一焊接线电连接于III-V族晶体管的源极与基材之间。第二焊接线电连接于III-V族晶体管的栅极与第一元件之间。第三焊接线电连接于III-V族晶体管的漏极与第二元件的阴极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：基材；III‑V族晶体管，位于该基材上，其中该III‑V族晶体管具有源极、漏极与栅极；第一元件，位于该基材上，其中该第一元件为转接板；第二元件，位于该基材上，其中该第二元件为二极管，并具有阳极与阴极，该阳极电连接于该基材；第一焊接线，电连接于该III‑V族晶体管的该源极与该基材之间；第二焊接线，电连接于该III‑V族晶体管的该栅极与该第一元件之间；以及第三焊接线，电连接于该III‑V族晶体管的该漏极与该第二元件的该阴极之间。
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