[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

基材；

III-V族晶体管，位于该基材上，其中该III-V族晶体管具有源极、漏极与栅极；

第一元件，位于该基材上，其中该第一元件为转接板；

第二元件，位于该基材上，其中该第二元件为二极管，并具有阳极与阴极，该阳极电连接于该基材；

第一焊接线，电连接于该III-V族晶体管的该源极与该基材之间；

第二焊接线，电连接于该III-V族晶体管的该栅极与该第一元件之间；以及

第三焊接线，电连接于该III-V族晶体管的该漏极与该第二元件的该阴极之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二元件为转接板或二极管。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一焊接线的相对两末端之间的水平距离表示为D1，该III-V族晶体管与该第一元件之间的水平距离表示为D2，D1小于D2的三分之一。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一焊接线的相对两末端之间的水平距离表示为D1，该第一焊接线的顶点朝该基材的方向的曲率半径表示为R1，D1大于2*R1。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该III-V族晶体管与该第二元件之间的水平距离表示为D3，该第三焊接线的顶点朝该基材的方向的曲率半径表示为R2，R2大于D3的五倍。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基材为导线架，包括TO-220、TO-3P、TO-263、TO-247或TO-247AA，该III-V族晶体管为氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该III-V族晶体管具有一基板部分与一电路层部分，该电路层部分位在该基板部分上，该基板部分是非导体材质，该III-V族晶体管通过该基板部分接合至该基材。

8.一种半导体结构的制造方法，包括：

在一基材上配置一III-V族晶体管，其中该III-V族晶体管具有一源极、一漏极与一栅极；

配置一第一焊接线电连接于该III-V族晶体管的该源极与该基材之间；

在该基材上配置一第一元件，其中该第一元件为转接板；

在该基材上配置一第二元件，其中该第二元件为二极管，并具有一阳极与一阴极，该阳极电连接于该基材；

配置一第二焊接线电连接于该III-V族晶体管的该栅极与该第一元件之间；以及

配置一第三焊接线电连接于该III-V族晶体管的该漏极与该第二元件的该阴极之间。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该第一焊接线的相对两末端之间的水平距离表示为D1，该III-V族晶体管与该第一元件之间的水平距离表示为D2，D1小于D2的三分之一。

10.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该第一焊接线的相对两末端之间的水平距离表示为D1，该第一焊接线的顶点朝该基材的方向的曲率半径表示为R1，D1大于2×R1。

11.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该III-V族晶体管与该第二元件之间的水平距离表示为D3，该第三焊接线的顶点朝该基材的方向的曲率半径表示为R2，R2大于D3的五倍。

12.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该基材为导线架，包括TO-220、TO-3P、TO-263、TO-247或TO-247AA，该III-V族晶体管为氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)。

13.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该III-V族晶体管具有一基板部分与一电路层部分，该电路层部分位在该基板部分上，该基板部分是非导体材质，该III-V族晶体管通过该基板部分接合至该基材。