[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210115089.7 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102629603A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 楠茂 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够无需扩大具有IGBT或功率MOSFET等的功率器件的半导体装置的耐压保持区域而有效进行耐压保持并且无需进行功率器件的高电阻化而充分提高短路耐量的半导体装置。所述半导体装置的特征在于具备：形成在具有半导体层的半导体衬底上的功率器件；以包围该功率器件的方式形成在该半导体衬底上的多个保护环；以及对该多个保护环中越靠外周侧的保护环施加越高的电压的电压施加部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有半导体层、在所述半导体层表面形成的栅电极、在所述半导体层表面形成的发射极以及所述半导体层背面形成的集电极，其特征在于具备：栅极布线，用于向所述栅电极传送栅极驱动信号；延迟电路，对所述栅极驱动信号进行延迟；以及接地部件，当输入所述延迟电路的输出电压和所述半导体层的电压，且所述延迟电路的输出电压和所述集电极的电压均为高电平时，将所述栅极布线接地。
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