[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有半导体层、在所述半导体层表面形成的栅电极、在所述半导体层表面形成的发射极以及所述半导体层背面形成的集电极，其特征在于具备：

栅极布线，用于向所述栅电极传送栅极驱动信号；

延迟电路，对所述栅极驱动信号进行延迟；以及

接地部件，当输入所述延迟电路的输出电压和所述半导体层的电压，且所述延迟电路的输出电压和所述集电极的电压均为高电平时，将所述栅极布线接地。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述接地部件具备：

NAND电路，以所述延迟电路的输出电压与所述半导体层的电压为输入；

NOT电路，将所述NAND电路的输出反相；以及

晶体管，当所述NOT电路的输出为高电平时成为导通状态，使所述栅极布线接地。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述延迟电路延迟所述栅极驱动信号的时间设定为：比从所述功率器件开始接通到所述半导体层的电压不足所述高电平为止的时间长，比所述半导体层被施加规定以上的电压而所述功率器件劣化的时间短。

4.一种半导体装置，具有半导体层、在所述半导体层表面形成的栅电极、漏电极以及源电极，其特征在于具备：

栅极布线，向所述栅电极传送栅极驱动信号；

延迟电路，对所述栅极驱动信号进行延迟；以及

接地部件，以所述延迟电路的输出电压和所述漏电极的电压为输入，当所述延迟电路的输出电压和所述漏电极的电压均为高电平时使所述栅极布线接地。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述接地部件具备：

NAND电路，以所述延迟电路的输出电压与所述漏极电压为输入；

NOT电路，将所述NAND电路的输出反相；以及

晶体管，当所述NOT电路的输出为高电平时成为导通状态，使所述栅极布线接地。

6.如权利要求2或权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

所述接地部件还具备保持所述NOT电路的输出的触发电路，

所述触发电路形成在与所述半导体层不同的衬底上，

在所述触发电路所具备的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的漏极区域的正下方配置绝缘膜。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘膜将所述N沟道MOSFET的阱区域和所述P沟道MOSFET的阱区域分离。

8.一种半导体装置，其特征在于具备：

半导体层；

功率器件，该功率器件具有在所述半导体层表面形成的第一栅电极和第二栅电极和发射极，以及在所述半导体层背面形成的集电极；

栅极布线，用于向所述第一栅电极传送栅极驱动信号；

供给部件，在所述第二栅电极上所述栅极驱动信号为高电平且所述半导体层的电压为低电平时，向所述第二栅电极传送所述栅极驱动信号。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述供给部件具备：

NOT电路，与所述栅极布线连接；以及

NOR电路，以所述NOT电路的输出和所述半导体层的电压为输入，进行NOR运算后向所述第二栅电极输出。