[发明专利]一种二氧化硅图形加工的方法

摘要

本发明提供了一种二氧化硅表面图形加工的方法，属于集成电路表面加工技术领域。该方法包括：在二氧化硅衬底上形成图形化的石墨烯层，并在石墨烯层上再沉积一层二氧化硅薄膜，随后用氢氟酸溶液刻蚀掉二氧化硅薄膜，即可在二氧化硅衬底上形成形状与石墨烯相同的刻蚀图案。本发明利用石墨烯增强刻蚀特性，在室温下在二氧化硅表面形成图形，其形状取决于石墨烯的形状；图形的位置可通过预先调整石墨烯的位置来控制，图形的边缘展宽和深度可通过控制刻蚀时间和石墨烯的层数来控制。本发明技术与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、低成本的二氧化硅表面图形的加工。

主权项

一种二氧化硅图形加工的方法，包括如下步骤：1)在SiO2衬底上直接生长石墨烯或将石墨烯从其它衬底上转移至SiO2衬底表面；2)按所需形状，将石墨烯薄膜图形化；3)在上述石墨烯层上沉积一层二氧化硅薄膜；4)用腐蚀溶液刻蚀掉上述二氧化硅薄膜后，石墨烯的图形转移到二氧化硅衬底上。