[发明专利]用于半导体结构接触的隔离件有效
| 申请号： | 201210067310.6 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103050457A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 柯俊宏;陈志辉;黄明杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，半导体结构包括：外延区域、栅极结构、接触隔离件、和蚀刻停止层。外延区域位于衬底中。外延区域的顶面高于衬底的顶面，并且外延区域具有在衬底的顶面和外延区域的顶面之间的小平面。栅极结构位于衬底上方。接触隔离件横向位于外延区域的小平面和栅极结构之间。蚀刻停止层位于接触隔离件的每个和外延区域的顶面上方并且邻接接触隔离件的每个和外延区域的顶面。接触隔离件的蚀刻选择性与蚀刻停止层的蚀刻选择性的比率等于或小于3∶1。本发明还提供了用于半导体结构接触的隔离件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 结构 接触 隔离 | ||
【主权项】：
一种半导体结构包括：外延区域，位于衬底中，所述外延区域的顶面高于所述衬底的顶面，所述外延区域具有在所述衬底的所述顶面和所述外延区域的所述顶面之间的小平面；栅极结构，位于所述衬底上方；接触隔离件，所述接触隔离件横向位于所述外延区域的小平面和所述栅极结构之间；以及，蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述接触隔离件以及所述外延区域的所述顶面中的每个上方并且邻接所述接触隔离件和所述外延区域的所述顶面中的每个，所述接触隔离件的蚀刻选择性与所述蚀刻停止层的蚀刻选择性的比率等于或小于3∶1。
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