[发明专利]覆晶封装结构及其形成方法无效

专利信息
申请号: 201210034268.8 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN103000599A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 刘安鸿;刘宏信;杨佳达;黄祺家;李宜璋;黄祥铭 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈亮
地址: 中国台湾新竹县新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明关于一种覆晶封装结构,包含一基板、一芯片、一凸块结构以及一阻焊层。基板上具有一电路层,芯片具有一中央区域及位于中央区域两侧的二边缘区域。凸块结构面对基板设置于芯片的中央区域,阻焊层设置于基板,且部分覆盖电路层。当芯片设置于基板上时,芯片通过凸块结构与基板电性连接,且阻焊层适可与芯片的二边缘区域接触,以与凸块结构共同支撑芯片。
搜索关键词: 封装 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
一种覆晶封装结构,包含:一基板,其上形成有一电路层;一芯片,具有一中央区域及位于该中央区域两侧的二边缘区域;一凸块结构,面对该基板设置于该芯片的该中央区域;以及一阻焊层,设置于该基板,且部分覆盖该电路层;其中,当该芯片设置于该基板上时,该芯片通过该凸块结构与该基板电性连接,且该阻焊层适可与该芯片的该二边缘区域接触,以与该凸块结构共同支撑该芯片。
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