[发明专利]覆晶封装结构及其形成方法无效
申请号: | 201210034268.8 | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN103000599A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 刘安鸿;刘宏信;杨佳达;黄祺家;李宜璋;黄祥铭 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 中国台湾新竹县新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明关于一种覆晶封装结构,包含一基板、一芯片、一凸块结构以及一阻焊层。基板上具有一电路层,芯片具有一中央区域及位于中央区域两侧的二边缘区域。凸块结构面对基板设置于芯片的中央区域,阻焊层设置于基板,且部分覆盖电路层。当芯片设置于基板上时,芯片通过凸块结构与基板电性连接,且阻焊层适可与芯片的二边缘区域接触,以与凸块结构共同支撑芯片。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种覆晶封装结构,包含:一基板,其上形成有一电路层;一芯片,具有一中央区域及位于该中央区域两侧的二边缘区域;一凸块结构,面对该基板设置于该芯片的该中央区域;以及一阻焊层,设置于该基板,且部分覆盖该电路层;其中,当该芯片设置于该基板上时,该芯片通过该凸块结构与该基板电性连接,且该阻焊层适可与该芯片的该二边缘区域接触,以与该凸块结构共同支撑该芯片。
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