[发明专利]覆晶封装结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201210034268.8 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN103000599A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 刘安鸿;刘宏信;杨佳达;黄祺家;李宜璋;黄祥铭 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 中国台湾新竹县新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种覆晶封装结构，包含：
一基板，其上形成有一电路层；
一芯片，具有一中央区域及位于该中央区域两侧的二边缘区域；
一凸块结构，面对该基板设置于该芯片的该中央区域；以及
一阻焊层，设置于该基板，且部分覆盖该电路层；
其中，当该芯片设置于该基板上时，该芯片通过该凸块结构与该基板电性连接，且该阻焊层适可与该芯片的该二边缘区域接触，以与该凸块结构共同支撑该芯片。
2.如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该阻焊层由该基板的二侧边朝该基板的一中央部以覆盖3/4该基板的面积、覆盖1/2该基板的面积以及覆盖1/4该基板的面积的方式设置于该基板，以与该凸块结构共同支撑该芯片。
3.如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该阻焊层设置于该基板的四边角，以与该凸块结构共同支撑该芯片。
4.如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，更包含一抗氧化层，覆盖于该基板的该电路层。
5.如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，更包含一间隙及一填料层，该间隙形成于该基板与该芯片之间，而该填料层则充填于该间隙内。
6.如权利要求5所述的覆晶封装结构，其特征在于，该间隙具有一高度，且该高度介于20～50微米。
7.一种形成一覆晶封装结构的方法，包含下列步骤：
(a)于一基板上形成一电路层，并于其上形成一抗氧化层以覆盖该电路层；
(b)形成一阻焊层于该基板，且该阻焊层部分覆盖该电路层；
(c)将具有一凸块结构的一芯片设置于该基板，并于该基板与该芯片间形成一间隙，其中，该芯片具有一中央区域及位于该中央区域两侧的二边缘区域，且该芯片的该二边缘区域的面积部分接触该阻焊层；以及
(d)利用该凸块结构与该阻焊层以共同支撑该芯片。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，(b)步骤更包含：
(b1)形成该阻焊层，使其由该基板的二侧边朝该基板的一中央部以覆盖3/4该基板的面积、覆盖1/2该基板的面积以及覆盖1/4该基板的面积的方式设置于该基板，以与该凸块结构共同支撑该芯片。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，(b)步骤更包含：
(b2)形成该阻焊层于该基板的四边角，以与该凸块结构共同支撑该芯片。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，更包含下列步骤：
(e)将一填充剂导入该基板与该芯片所形成的该间隙；以及
(f)硬化该填充剂，使其成为一填料层，充填于该间隙。
11.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，更包含下列步骤：
(b3)将一填充剂涂布于该基板上，以覆盖该阻焊层未覆盖的该电路层。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，更包含下列步骤：
(g)使该填充剂覆盖该电路层的区域形成于该间隙；以及
(h)硬化该填充剂，使其成为一填料层并充填于该间隙。
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