[发明专利]覆晶封装结构及其形成方法无效

专利信息
申请号: 201210034268.8 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN103000599A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 刘安鸿;刘宏信;杨佳达;黄祺家;李宜璋;黄祥铭 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈亮
地址: 中国台湾新竹县新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 形成 方法
【说明书】:

技术领域

发明关于一种半导体封装结构;特别是关于一种使用于半导体领域的覆晶封装结构。

背景技术

覆晶封装结构因为具有尺寸小、接脚密度大且散热效率高等优点,因此被广泛地使用于各种类型的电子逻辑元件,尤其在现今数位化社会中对电子产品的多工需求,使得诸如个人电脑中常见的中央处理器(Central Processing Unit,CPU)或图形处理器(Graphics Processing Unit,GPU),亦或是兼具无线网络及蓝牙通讯技术的网络芯片等,都可轻易见到覆晶封装结构的身影。

覆晶封装结构主要由基板、芯片及用以电性连接该基板及该芯片的凸块结构所形成。当凸块结构设置于基板及芯片间,并用以顶持及电性连接基板与芯片时,将使得基板与芯片间形成一间隙。同时,该间隙适可利用如自然流入或毛细现象等,以充填一填充剂,使其具有将芯片与基板固定及绝缘,并避免凸块结构间彼此接触而短路的功用。

然而,随着工艺的进步及对电子元件微小化的需求,基板与芯片的尺寸虽然愈趋缩小,但所需具备的信号接脚数量却不减反增。如此一来,不仅将导致基板与芯片间的间隙变小,从而增加工艺上的困难,并且在另一方面,过小的间隙也将导致填充剂无法顺利地流入及充填于其间,从而导致电路层氧化或接点间短路的情况,严重影响覆晶封装结构的使用寿命。

有鉴于此,如何在微小化覆晶封装结构的同时,依旧可维持两者间所具有的间隙的尺寸,使填充料可顺利地通过毛细现象填充于其间,乃为目前业界引领期盼所欲解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种覆晶封装结构,其在微小化基板与芯片尺寸的同时,不但可供芯片稳固地置于基板上,且可维持两者间的间隙尺寸,从而使填充料可完整地填充于该间隙,以达到将芯片与基板固定并绝缘,同时避免凸块结构彼此接触而导致短路的目的。

为达上述目的,本发明的覆晶封装结构包含一基板、一芯片、一凸块结构以及一阻焊层。基板上具有一电路层,芯片具有一中央区域及位于中央区域两侧的二边缘区域。凸块结构面对基板设置于芯片的中央区域,阻焊层设置于基板,且部分覆盖电路层。当芯片设置于基板上时,芯片通过凸块结构与基板电性连接,且阻焊层适可与芯片的二边缘区域接触,以与凸块结构共同支撑芯片。

为让本发明的上述目的、技术特征、和优点能更明显易懂,下文以较佳实施例、配合所附附图进行详细说明。

附图说明

图1A为本发明覆晶封装结构的第一实施例示意图;

图1B为图1A的A-A线段的剖面图;

图2A为本发明覆晶封装结构的第二实施例示意图;

图2B为图2A的B-B线段的剖面图;

图3A为本发明覆晶封装结构的第三实施例示意图;

图3B为图3A的C-C线段的剖面图;

图4A为本发明覆晶封装结构的第四实施例示意图;

图4B为图4A的D-D线段的剖面图;

图5为本发明覆晶封装结构的制造流程图;以及

图6为本发明覆晶封装结构的另一制造流程图。

具体实施方式

图1A及图1B为本发明的覆晶封装结构100的第一实施例。如图所示,覆晶封装结构100具有一基板110、一芯片120、一凸块结构130以及一阻焊层140。其中,基板100上具有一电路层112(附图中所绘制的电路层仅为示意),且芯片120具有一中央区域122及位于中央区域122两侧的二边缘区域124。此外,凸块结构130面对基板110设置于芯片120的中央区域122,阻焊层140设置于基板110,且用以部分覆盖电路层112。其中,于本实施例中,凸块结构130例如为金凸块、结线凸块及复合凸块…等。

如图1B所示,当芯片120设置于基板110上时,芯片120适可通过凸块结构130与基板110电性连接,同时,阻焊层140适可与芯片120的二边缘区域124相接触,以与凸块结构130共同支撑芯片120,避免芯片120仅中央区域122具有支撑,而产生左右倾斜的情况。

覆晶封装结构100更进一步包含一抗氧化层150,其覆盖于基板110的电路层112上,用以协助避免电路层112的氧化。其中,抗氧化层150为镍金或镍钯金。此外,当阻焊层140与凸块结构130共同支撑芯片120时,于基板110及芯片120间将形成一间隙200,且一填料层210适可填充于间隙200中,成为基板110及芯片120间的绝缘物质,在避免短路情况发生的同时,也具有固定基板110与芯片120的功效。

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