[发明专利]用于3DIC测试的结构设计有效
| 申请号： | 201210032013.8 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN103035618A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;蔡柏豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种工件，包括：第一含铜柱，该第一含铜柱具有顶面和侧壁；第一保护层，该第一保护层位于第一含铜柱的侧壁上而不位于第一含铜柱的顶面上方；测试焊盘，该测试焊盘包括第二含铜柱，该第二含铜柱具有顶面和侧壁，该测试焊盘电连接至第一含铜柱；以及第二保护层，该第二保护层被设置在第二含铜柱的侧壁上，而不设置在第二含铜柱的顶面上方，第一保护层和第二保护层包含铜和聚合物的化合物，并且是介电层。本发明还提供了用于3DIC测试的结构设计。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 dic 测试 结构设计 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：第一工件，包括：第一含铜柱，具有顶面和侧壁；第一保护层，位于所述第一含铜柱的侧壁上而不位于所述第一含铜柱的顶面上方；测试焊盘，包括第二含铜柱，所述第二含铜柱具有顶面和侧壁，其中所述测试焊盘电连接至所述第一含铜柱；以及第二保护层，位于所述第二含铜柱的侧壁上，而不位于所述第二含铜柱的顶面上方，其中，所述第一保护层和所述第二保护层包含铜和聚合物的化合物，并且其中，所述第一保护层和所述第二保护层是介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210032013.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种按钮式锁紧把手
- 下一篇：传送治具和热处理工业炉的进料及传送系统
