[发明专利]用于3DIC测试的结构设计有效
申请号: | 201210032013.8 | 申请日: | 2012-02-13 |
公开(公告)号: | CN103035618A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 林俊成;蔡柏豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;房岭梅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 dic 测试 结构设计 | ||
1.一种器件,包括:
第一工件,包括:
第一含铜柱,具有顶面和侧壁;
第一保护层,位于所述第一含铜柱的侧壁上而不位于所述第一含铜柱的顶面上方;
测试焊盘,包括第二含铜柱,所述第二含铜柱具有顶面和侧壁,其中所述测试焊盘电连接至所述第一含铜柱;以及
第二保护层,位于所述第二含铜柱的侧壁上,而不位于所述第二含铜柱的顶面上方,其中,所述第一保护层和所述第二保护层包含铜和聚合物的化合物,并且其中,所述第一保护层和所述第二保护层是介电层。
2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第二含铜柱的水平尺寸大于所述第一含铜柱的水平尺寸。
3.根据权利要求1所述的器件,进一步包括第一非铜金属层和第二非铜金属层,所述第一非铜金属层位于所述第一含铜柱的顶面上方并接触所述第一含铜柱的顶面,以及所述第二非铜金属层位于所述第二含铜柱的顶面上方并接触所述第二含铜柱的顶面。
4.根据权利要求3所述的器件,进一步包括金属处理面,所述金属处理面接触所述第一非铜金属层的顶面和侧壁以及所述第二非铜金属层的顶面和侧壁。
5.一种器件,包括:
第一工件,包括:
介电层,位于所述第一工件的表面处;
第一金属焊盘和第二金属焊盘,位于所述介电层下方,并彼此齐平,其中所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘彼此电连接;
含铜柱,具有顶面和侧壁,其中,所述含铜柱的顶面位于所述介电层的顶面上方,并且其中,所述含铜柱与一部分所述第一金属焊盘重叠;
非铜金属层,位于所述含铜柱的顶面的上方,并接触所述含铜柱的顶面;
金属处理面,位于所述非铜金属层的顶面和侧壁的上方,并接触所述非铜金属层的顶面和侧壁;
测试焊盘,位于所述第二金属焊盘的上方,其中所述测试焊盘和所述金属饰面处理面由相同的材料形成,并通过所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘彼此电连接。
6.根据权利要求5所述的器件,其中,所述测试焊盘和所述金属处理面具有选自基本上由化学镍化学钯浸金(ENEPIG)、化学镍浸金(ENIG)、和直接浸金(DIG)组成的组的结构。
7.根据权利要求5所述的器件,进一步包括保护层,所述保护层位于所述含铜柱的侧壁上而不位于所述含铜柱的顶面上方,其中,所述保护层包括铜和聚合物的化合物,并且其中所述保护层是介电层。
8.一种器件,包括:
第一工件,包括:
介电层,位于所述第一工件的表面处;
第一金属焊盘,位于所述介电层下方,其中所述介电层具有位于所述金属焊盘上方的第一开口;
含铜柱,具有顶面和侧壁,其中,所述含铜柱的顶面位于所述介电层的顶面上方,并且其中所述含铜柱与所述第一金属焊盘重叠;以及
第二金属焊盘,位于所述介电层下方,并通过所述介电层中的第二开口暴露出来,其中,所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘彼此齐平,并且彼此电连接,其中,没有含铜柱被设置在所述第二金属焊盘上方并与所述第二金属焊盘重叠。
9.根据权利要求8所述的器件,进一步包括:
非铜金属层,位于所述含铜柱的顶面上方并接触所述含铜柱的顶面;以及
金属处理面,位于所述非铜金属层的顶面和侧壁的上方,并接触所述非铜金属层的顶面和侧壁。
10.根据权利要求8所述的器件,其中,所述介电层包括聚酰亚胺层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210032013.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种按钮式锁紧把手
- 下一篇:传送治具和热处理工业炉的进料及传送系统