[发明专利]电子元件封装结构

摘要

本发明公开一种电子元件封装结构，其包括半导体元件、第一保护层、第一导体焊垫、第二导体焊垫、至少一导通结构以及第二保护层。半导体元件包括半导体基极、射极、集极以及栅极。射极与栅极位于半导体基极的第一表面上，集极位于半导体基极的第二表面上。第一保护层位于栅极周围的半导体基极的第一表面上。第一导体焊垫位于第一保护层上。第二导体焊垫位于半导体基极的第二表面上的集极上方。上述导通结构贯穿第一保护层、半导体基极的第一表面与第二表面以及集极，电连接第一导体焊垫与第二导体焊垫。第二保护层位于导通结构与半导体基极之间。

主权项

一种电子元件封装结构，包括：半导体元件，包括：半导体基极具有第一表面与第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对；集极位于所述半导体基极的所述第二表面上；第一导电型基体区位于所述半导体基极的所述第一表面中；第二导电型掺杂区位于所述第一导电型基体区中；栅极位于所述半导体基极的所述第一表面上，覆盖部分所述第一导电型基体区与部分所述第二导电型掺杂区，且所述栅极以第一介电层与所述半导体基极的所述第一表面、所述第一导电型基体区与所述第二导电型掺杂区相隔绝；第二介电层覆盖所述栅极，所述第二介电层中具有一开口，且所述开口贯穿所述第二导电型掺杂区，而延伸至所述开口的底部以裸露出所述第一导电型基体区；以及射极位于所述半导体基极的所述第二介电层上，并且填充于所述开口中，电连接所述第二导电型掺杂区与所述第一导电型基体区；第一保护层，位于所述栅极周围的所述半导体基极的所述第一表面上，且与所述第一介电层连接；第一导体焊垫位于所述第一保护层上；第二导体焊垫位于所述半导体基极的所述第二表面上方的所述集极上；以及至少一导通结构，贯穿所述第一保护层、所述半导体基极的所述第一表面、所述第二表面以及所述集极，且电连接所述第一导体焊垫与所述第二导体焊垫，所述导通结构包括：导体柱位于所述半导体基极之中；以及第二保护层位于所述导体柱与所述半导体基极之间。