[发明专利]电子元件封装结构

权利要求书

1.一种电子元件封装结构，包括：

半导体元件，包括：

半导体基极具有第一表面与第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对；

集极位于所述半导体基极的所述第二表面上；

第一导电型基体区位于所述半导体基极的所述第一表面中；

第二导电型掺杂区位于所述第一导电型基体区中；

栅极位于所述半导体基极的所述第一表面上，覆盖部分所述第一导电型基体区与部分所述第二导电型掺杂区，且所述栅极以第一介电层与所述半导体基极的所述第一表面、所述第一导电型基体区与所述第二导电型掺杂区相隔绝；

第二介电层覆盖所述栅极，所述第二介电层中具有一开口，且所述开口贯穿所述第二导电型掺杂区，而延伸至所述开口的底部以裸露出所述第一导电型基体区；以及

射极位于所述半导体基极的所述第二介电层上，并且填充于所述开口中，电连接所述第二导电型掺杂区与所述第一导电型基体区；

第一保护层，位于所述栅极周围的所述半导体基极的所述第一表面上，且与所述第一介电层连接；

第一导体焊垫位于所述第一保护层上；

第二导体焊垫位于所述半导体基极的所述第二表面上方的所述集极上；以及

至少一导通结构，贯穿所述第一保护层、所述半导体基极的所述第一表面、所述第二表面以及所述集极，且电连接所述第一导体焊垫与所述第二导体焊垫，所述导通结构包括：

导体柱位于所述半导体基极之中；以及

第二保护层位于所述导体柱与所述半导体基极之间。

2.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于还包括：

第一凸块，与所述第一导体焊垫电连接；以及

第二凸块，与所述射极电连接。

3.如权利要求2所述的电子元件封装结构，其特征在于所述第一导体焊垫包括凸块下金属层。

4.如权利要求3所述的电子元件封装结构，其特征在于所述第一导体焊垫的材料包括镍或金，或其合金。

5.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于所述第二导体焊垫的材料包括金属或是金属合金。

6.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其中所述第二导体焊垫的材料包括铜或是铝，或其合金。

7.如权利要求1所述的电子元件封装结构，特征在于还包括：

第一导体焊线，与所述第一导体焊垫电连接；以及

第二导体焊线，与所述射极电连接。

8.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于所述导体柱的材料包括金属或是金属合金。

9.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于所述导体柱的材料包括铜、钨或铝，或其合金。

10.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于所述第一保护层的材料包括二氧化硅、氮化硅或氮化铝。

11.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于所述第二保护层的材料包括二氧化硅、氮化硅或氮化铝。

12.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于所述第一导电型基体区包括P型基体区且所述第二导电型掺杂区包括N型掺杂区，或所述第一导电型基体区包括N型基体区且所述第二导电型掺杂区包括P型掺杂区。