[发明专利]半导体装置的布线构造以及其制造方法无效
| 申请号： | 201210023136.5 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102629600A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 沼口浩之 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种使第二金属层所紧贴的绝缘层难以产生裂纹的半导体装置的布线构造以及其制造方法。半导体装置的布线构造具备：绝缘层（12）；第一金属层（13），被绝缘层（12）覆盖；以及第二金属层（14），具有彼此空开间隔地在绝缘层（12）上排列而且以比第一金属层（13）厚的方式形成的多个电极部分（101、102、…），绝缘层（12）具有将第一金属层（13）和多个电极部分（101、102、…）之间相连的多个导通孔，具备配置在多个导通孔内并将多个电极部分与第一金属层（13）电连接的多个贯通布线（15）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 布线 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的布线构造，其特征在于，具备：绝缘层，在基底构件上形成；第一金属层，被所述绝缘层覆盖；以及第二金属层，具有彼此空开间隔地在所述绝缘层上排列而且以比所述第一金属层厚的方式形成的多个电极部分，所述绝缘层具有将所述第一金属层和所述多个电极部分之间相连的多个导通孔，所述布线构造还具备：多个贯通布线，配置在所述多个导通孔内，将所述多个电极部分与所述第一金属层电连接。
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