[发明专利]氮化物系半导体装置

摘要

本发明目的在于提供一种氮化物系半导体装置，其防止MOS型器件的栅绝缘膜的损坏，并且提高了可靠性。设置于漏电极（26）与栅电极（28）之间的SBD金属电极（30）与AlGaN层（20）进行肖特基接合。此外，SBD金属电极（30）与源电极（24）连接，从而电短路。由此，在向栅电极（28）输入截止信号时，MOSFET部（32）变为截止状态，从而MOSFET部（32）的漏侧的电压接近漏电极（26）的电压值。在漏电极（26）的电压上升时，SBD金属电极（30）的电压值低于MOSFET部（32）的漏侧的电压值，所以通过SBD金属电极（30）对MOSFET部（32）的漏侧和漏电极（26）进行电切断。

主权项

一种氮化物系半导体装置，其具有：衬底；缓冲层，其形成在所述衬底上；电子渡越层，其形成在所述缓冲层上，由氮化物类化合物构成；电子供给层，其形成在所述电子渡越层上，带隙能与所述电子渡越层不同，并且至少由一层构成；凹槽部，其形成在从所述电子供给层的表面起至少到达所述电子供给层为止的区域中；源电极和漏电极，它们在所述电子供给层上形成于隔着所述凹槽部而对置的位置处；栅绝缘膜，其以覆盖所述凹槽部内部的方式，在从所述凹槽部到所述电子供给层的表面的范围内形成；栅电极，其形成在所述凹槽部内的所述栅绝缘膜上；以及载流子输送用电极，其形成在所述栅电极与所述漏电极之间，并且与所述源电极连接而用于将载流子输送到所述源电极。