[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110356167.8 申请日: 2011-11-08
公开(公告)号: CN102468281A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 郑世泳;尹宣弼;宋昊建 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/48;H01L21/50
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:第一半导体芯片;第一连接结构,设置在第一半导体芯片的第一侧上;第二半导体芯片,设置在第一半导体芯片的第二侧上;以及第二连接结构,设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间,其中,第二连接结构的数量少于第一连接结构的数量。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,所述半导体装置包括:第一半导体芯片,包括内部电路;多个第一连接结构,设置在第一半导体芯片的第一侧上,所述多个第一连接结构包括电连接到第一半导体芯片的内部电路的至少一个连接元件和与第一半导体芯片的内部电路电绝缘的至少一个辅助元件;第二半导体芯片,设置在第一半导体芯片的第二侧上,并包括内部电路;以及多个第二连接结构,设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间,并包括电连接到第一半导体芯片的内部电路和第二半导体芯片的内部电路的至少一个连接元件,其中,第二连接结构的数量少于第一连接结构的数量。
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