[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110321830.0 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102496607A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 道前芳隆;杉山荣二;大谷久;鹤目卓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;D21H21/44;G06K19/07 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高成品率地制造半导体装置的方法，该半导体装置不会因来自外部的局部挤压而破坏，可靠性高。本发明如下制造半导体装置：在具有绝缘性表面的基板上形成剥离层，在剥离层上形成具有使用非单晶半导体层形成的半导体元件的元件层，在元件层上设置有机化合物或无机化合物的纤维体，自元件层及纤维体上涂布包含有机树脂的组合物，加热，在元件层上形成有机化合物或无机化合物的纤维体被有机树脂浸渍而得的密封层，从剥离层剥离元件层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：元件层；包括纤维体和有机树脂的第一密封层；以及夹在所述元件层以及所述第一密封层之间的绝缘层。
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