[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110321830.0 申请日: 2008-03-25
公开(公告)号: CN102496607A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 道前芳隆;杉山荣二;大谷久;鹤目卓也 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31;D21H21/44;G06K19/07
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 冯雅
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

元件层;

包括纤维体和有机树脂的第一密封层;以及

夹在所述元件层以及所述第一密封层之间的绝缘层。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,还包括:

天线,所述天线夹在所述绝缘层以及所述第一密封层之间,以使所述天线通过配线电连接到所述元件层。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,还包括:

包含纤维体和有机树脂的第二密封层,该第二密封层在所述元件层上。

4.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,还包括:

第一保护膜,所述第一保护膜在所述第一密封层上。

5.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,还包括:

第二保护膜,所述第二保护膜在所述第二密封层上。

6.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,还包括:

天线,所述天线在所述第一密封层上;以及

基板,所述基板在所述第一密封层上。

7.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,还包括:

包含纤维体和有机树脂的第二密封层,该第二密封层在所述元件层上。

8.如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,还包括:

保护膜,所述保护膜在第二密封层上,

其中所述第二密封层、所述元件层、所述绝缘层、所述天线以及所述第一密封层由所述基板和所述保护膜来密封。

9.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述元件层包括选自硅、锗、硅锗化合物和金属氧化物的半导体。

10.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述元件层包括包含金属氧化物的导电体,且所述金属氧化物选自氧化锌和锌镓铟的氧化物。

11.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一纤维体是选自聚乙烯醇纤维、聚酯纤维、聚酰胺纤维、聚乙烯纤维、芳族聚酰胺纤维、聚对苯撑苯并二恶唑纤维、玻璃纤维和碳纤维的纤维。

12.如权利要求3或7所述的半导体装置,其特征在于:

所述第二纤维体是选自聚乙烯醇纤维、聚酯纤维、聚酰胺纤维、聚乙烯纤维、芳族聚酰胺纤维、聚对苯撑苯并二恶唑纤维、玻璃纤维和碳纤维的纤维。

13.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于:

所述基板为塑料基板。

14.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:

所述保护膜为塑料基板。

15.一种包括半导体装置的纸张,所述半导体装置包括:

元件层;

包括纤维体和有机树脂的第一密封层;

夹在所述元件层以及所述第一密封层之间的绝缘层。

16.如权利要求15所述的纸张,其特征在于,还包括:

天线,所述天线夹在所述绝缘层以及所述第一密封层之间,以使所述天线通过配线电连接到所述元件层。

17.如权利要求16所述的纸张,其特征在于,还包括:

包含纤维体和有机树脂的第二密封层,该第二密封层在所述元件层上。

18.如权利要求16所述的纸张,其特征在于,还包括:

第一保护膜,所述第一保护膜在所述第一密封层上。

19.如权利要求17所述的纸张,其特征在于,还包括:

第二保护膜,所述第二保护膜在所述第二密封层上。

20.如权利要求15所述的纸张,其特征在于,还包括:

天线,所述天线在所述第一密封层上;以及

基板,所述基板在所述第一密封层上。

21.如权利要求20所述的纸张,其特征在于,还包括:

包含纤维体和有机树脂的第二密封层,该第二密封层在所述元件层上。

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