[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成牺牲栅，位于牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区；形成覆盖源/漏区、牺牲栅以及侧墙的层间介质层；去除牺牲栅从而在侧墙内形成一个空腔；在空腔内形成与侧墙内壁相接触的第一氧吸收层；在空腔的其余空间形成第二氧吸收层，第一氧吸收层的氧吸收能力小于第二氧吸收层；进行退火以使得所述衬底的表面形成界面层。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过在沟道区形成对称的界面层，在有效控制短沟道效应并保证载流子迁移率不下降的情况下，降低了工艺复杂度。

主权项

一种形成半导体结构的方法，其中，包括以下步骤：(a)提供衬底(100)，在所述衬底(100)上形成牺牲栅，位于所述牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区(110)；(b)形成覆盖所述源/漏区(110)、所述牺牲栅以及所述侧墙的层间介质层(240)；(c)去除所述牺牲栅从而在所述侧墙内形成一个空腔；(d)在所述空腔内形成与侧墙内壁相接触的第一氧吸收层(250)；(e)在所述空腔的其余空间形成第二氧吸收层(260)，所述第一氧吸收层(250)的氧吸收能力小于所述第二氧吸收层(260)；(f)进行退火以使得所述衬底(100)的表面形成界面层。