[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，其中，包括以下步骤：

(a)提供衬底(100)，在所述衬底(100)上形成牺牲栅，位于所述牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区(110)；

(b)形成覆盖所述源/漏区(110)、所述牺牲栅以及所述侧墙的层间介质层(240)；

(c)去除所述牺牲栅从而在所述侧墙内形成一个空腔；

(d)在所述空腔内形成与侧墙内壁相接触的第一氧吸收层(250)；

(e)在所述空腔的其余空间形成第二氧吸收层(260)，所述第一氧吸收层(250)的氧吸收能力小于所述第二氧吸收层(260)；

(f)进行退火以使得所述衬底(100)的表面形成界面层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述牺牲栅的长度方向上，所述第二氧吸收层(260)的长度大于所述牺牲栅长度的80％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一氧吸收层(250)为Ti、Hf、Ta、W和/或它们的氮化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二氧吸收层(260)为Ti、Hf、Ta、W和/或它们的氮化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲栅包括栅介质和多晶硅栅极，形成空腔的步骤为去除多晶硅栅极。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述界面层包括第一界面层和第二界面层，

所述第一界面层位于所述第一氧吸收层(250)下，所述第二界面层位于所述第二氧吸收层(260)下，且所述第二界面层的长度大于所述牺牲栅长度的80％。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤(c)包括：

对所述层间介质层(240)进行平坦化处理至所述牺牲栅的顶部露出；

对所述牺牲栅进行刻蚀以形成一个空腔。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在形成空腔后，所述方法还包括：

在所述空腔的底部形成栅介质层。

9.一种半导体结构，包括：衬底(100)、源/漏区(110)、栅堆叠、界面层，其中：

所述衬底(100)具有沟道区；

所述源/漏区(110)形成于所述衬底(100)之中，位于所述沟道区两侧；

所述栅堆叠包括高k介质层(210)和所述高k介质层上的栅极，所述高k栅介质层(210)位于所述沟道区上，其中，所述栅极包括第一氧吸收层(250)和第二氧吸收层(260)，所述第一氧吸收层(250)环绕所述第二氧吸收层(260)的侧壁形成，所述第一氧吸收层(250)的氧吸收能力小于所述第二氧吸收层(260)；

所述界面层位于所述高k介质层(210)的下方，分为第一界面层(120)和第二界面层(130)，所述第一界面层(120)分别靠近所述源/漏区(110)的源区和漏区，所述第二界面层(130)位于所述第一界面层(120)之间，所述第一界面层(120)的厚度大于所述第二界面层(130)。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，在所述栅极的长度方向上，所述第二界面层(130)的长度大于所述栅极长度的80％。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述第二界面层(130)的长度为整个界面层的长度的80％以上，其余部分为所述第一界面层(120)。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述第一界面层(120)的厚度大于0.5nm，所述第二界面层(130)的厚度小于0.5nm。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述栅极由氧吸收材料形成。

14.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述第一氧吸收层(250)为Ti、Hf、Ta、W和/或它们的氮化物。

15.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述第二氧吸收层(26)为Ti、Hf、Ta、W和/或它们的氮化物。

16.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，在所述栅极长度方向上，所述第二氧吸收层(260)的长度大于所述栅极长度的80％。