[发明专利]一种在半导体硅片的通孔中进行电镀铜的方法有效
| 申请号： | 201110285111.8 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102443828A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/10 | 分类号： | C25D5/10;C25D7/12 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对半导体硅片通孔电镀铜的方法，先进行电镀，在硅片表面和通孔的底部及侧壁上形成一层金属铜层，从而对半导体硅片中的通孔进行部分填充，之后对硅片进行清洗；对形成的金属铜层进行部分电解，使硅片表面和通孔侧壁上的金属铜层厚度变薄，并对硅片进行清洗，所述开口处减少的厚度多于通孔底部和侧壁减少的厚度；在已填充有金属铜层的通孔内再次进行电镀，以在已填充有金属铜层的通孔内填充另一层金属铜层，并对所形成的金属铜层再次进行部分电解；待通孔内填满金属铜后，清洗半导体硅片并进行退火处理。本发明提供的电解铜的方法可以改善铜电镀过程中通孔的形貌，提高铜电镀的工艺窗口，消除通孔中的孔隙，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 通孔中 进行 镀铜 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体硅片的通孔中进行电镀铜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，先进行电镀，在硅片表面和通孔的底部及侧壁上形成一层金属铜层，从而对半导体硅片中的通孔进行部分填充，之后对硅片进行清洗；步骤2，对形成的金属铜层进行部分电解，使硅片表面和通孔侧壁上的金属铜层厚度变薄，并对硅片进行清洗，所述开口处减少的厚度多于通孔底部和侧壁减少的厚度；步骤3，在已填充有金属铜层的通孔内再次进行电镀，以在已填充有金属铜层的通孔内填充另一层金属铜层，并对所形成的金属铜层再次进行部分电解；步骤4，待通孔内填满金属铜后，清洗半导体硅片并进行退火处理。
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