[发明专利]一种在半导体硅片的通孔中进行电镀铜的方法有效
| 申请号： | 201110285111.8 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102443828A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/10 | 分类号： | C25D5/10;C25D7/12 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 通孔中 进行 镀铜 方法 | ||
1.一种在半导体硅片的通孔中进行电镀铜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，先进行电镀，在硅片表面和通孔的底部及侧壁上形成一层金属铜层，从而对半导体硅片中的通孔进行部分填充，之后对硅片进行清洗；
步骤2，对形成的金属铜层进行部分电解，使硅片表面和通孔侧壁上的金属铜层厚度变薄，并对硅片进行清洗，所述开口处减少的厚度多于通孔底部和侧壁减少的厚度；
步骤3，在已填充有金属铜层的通孔内再次进行电镀，以在已填充有金属铜层的通孔内填充另一层金属铜层，并对所形成的金属铜层再次进行部分电解；
步骤4，待通孔内填满金属铜后，清洗半导体硅片并进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，重复步骤2过程一次以上。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镀用的电镀液中含有抑制剂、加速剂和平整剂，所述抑制剂的分子量大于加速剂的分子量。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电解用的电解液中含有抑制剂、加速剂和平整剂，所述加速剂的分子量大于抑制剂的分子量。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述加速剂或抑制剂为有机物。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，电镀过程中硅片表面的铜电镀速度慢于通孔内的铜电镀速度。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，电解过程中硅片表面的铜电解速度快于通孔内的铜电解速度。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火温度控制在400℃以下。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火时间控制在30分钟之内。
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