[发明专利]图形化半导体基材表面的方法

摘要

本发明涉及一种图形化半导体基材表面的方法。在此图形化半导体基材表面的方法中，首先提供高分子膜(Polymer Film)，其中高分子膜具有多个第一贯穿孔。然后，形成保护层于高分子膜的表面上以及第一贯穿孔的多个侧壁上，以形成屏蔽，其中第一贯穿孔被保护层填充而形成多个第二贯穿孔，而屏蔽包含高分子膜以及具有第二贯穿孔的保护层。接着，将屏蔽固定于半导体基材的表面上。然后，利用上述的屏蔽并以干式或湿式蚀刻来蚀刻半导体基材的表面，以在半导体基材表面上形成多个凹槽。

主权项

一种图形化半导体基材表面的方法，其特征在于，包含：提供一高分子膜，其中该高分子膜具有多个第一贯穿孔；形成一保护层于该高分子膜的一表面上以及该些第一贯穿孔的多个侧壁上，以形成一屏蔽，其中该些第一贯穿孔被该保护层填充而形成多个第二贯穿孔，该屏蔽包含该高分子膜以及具有该些第二贯穿孔的该保护层；进行一固定步骤，以将该屏蔽固定于一半导体基材的一表面上；以及进行一蚀刻步骤，以利用该屏蔽来蚀刻该半导体基材的该表面，而在该表面上形成多个凹槽。