[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110058184.3 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102157491B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 宗登刚;彭树根;李乐;韦庆松 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体技术领域的半导体结构及其制备方法。所述结构包括衬底和1层或多层互连结构，其中顶层互连结构包括：多个底层金属线；多个接触栓塞；层间介电层；顶层金属线；金属熔丝，包括：阴极、阳极和熔断区，所述阴极位于至少一个其余所述接触栓塞上，所述阳极位于至少一个其余所述接触栓塞上，所述阴极下的接触栓塞和所述阳极下的接触栓塞位于不同的底层金属线上，所述熔断区分别与所述阴极和所述阳极相连；绝缘层。本发明结构和工艺都很简单，得到的熔丝厚度比较容易控制，并且熔丝厚度可以比较薄，既可以使用低能量的激光来熔断熔丝，也可以通过电流来熔断熔丝。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括衬底和1层或多层互连结构，所述互连结构位于所述衬底上，其特征在于，其中顶层互连结构包括：多个底层金属线，位于衬底或次顶层互连结构上；多个接触栓塞，位于所述底层金属线上；层间介电层，位于所述底层金属线和所述衬底或次顶层互连结构上，所述层间介电层的下表面与所述底层金属线的下表面位于同一平面，所述层间介电层的上表面与所述接触栓塞的上表面位于同一平面；顶层金属线，位于部分所述接触栓塞上；金属熔丝，包括：阴极、阳极和熔断区，其中：所述阴极位于至少一个其余所述接触栓塞上，所述阳极位于至少一个其余所述接触栓塞上，所述阴极下的接触栓塞和所述阳极下的接触栓塞位于不同的底层金属线上；所述熔断区分别与所述阴极和所述阳极相连；绝缘层，位于所述顶层金属线、所述金属熔丝和所述层间介电层上；所述绝缘层的下表面、所述顶层金属线的下表面与所述金属熔丝的下表面位于同一平面。
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