[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110052405.6 申请日: 2011-03-04
公开(公告)号: CN102201414A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 石井齐;奥村尚久 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L23/495;H01L21/8247;H01L21/60
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本实施方式,提供一种半导体存储装置,其具备:设置有外部连接端子的有机基板;和半导体存储芯片。半导体存储装置还具备引线框架,该引线框架具有粘接部及载置部。另外,还具备树脂模铸部,其封装半导体存储芯片。在引线框架,以从载置部以及粘接部的至少一方朝向树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体存储装置,具备:有机基板,其在一个面设置有外部连接端子;引线框架,其具有粘接部及载置部,所述粘接部粘接于所述有机基板的另一个面;半导体存储芯片,其载置于所述载置部;以及树脂模铸部,其使所述外部连接端子露出而封装所述有机基板、所述引线框架以及所述半导体存储芯片,并且俯视呈大致方形形状;所述有机基板被单片化为在粘接于所述粘接部的状态下、俯视所述有机基板与所述载置部不重叠的部分这一方比所述有机基板与所述载置部重叠的部分大的形状;在所述引线框架,以从所述载置部及所述粘接部的至少一方朝向所述树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。
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