[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
申请号: | 201110052405.6 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102201414A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 石井齐;奥村尚久 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L23/495;H01L21/8247;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据本实施方式,提供一种半导体存储装置,其具备:设置有外部连接端子的有机基板;和半导体存储芯片。半导体存储装置还具备引线框架,该引线框架具有粘接部及载置部。另外,还具备树脂模铸部,其封装半导体存储芯片。在引线框架,以从载置部以及粘接部的至少一方朝向树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储装置,具备:有机基板,其在一个面设置有外部连接端子;引线框架,其具有粘接部及载置部,所述粘接部粘接于所述有机基板的另一个面;半导体存储芯片,其载置于所述载置部;以及树脂模铸部,其使所述外部连接端子露出而封装所述有机基板、所述引线框架以及所述半导体存储芯片,并且俯视呈大致方形形状;所述有机基板被单片化为在粘接于所述粘接部的状态下、俯视所述有机基板与所述载置部不重叠的部分这一方比所述有机基板与所述载置部重叠的部分大的形状;在所述引线框架,以从所述载置部及所述粘接部的至少一方朝向所述树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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