[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
申请号: | 201110052405.6 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102201414A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 石井齐;奥村尚久 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L23/495;H01L21/8247;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体存储装置,具备:
有机基板,其在一个面设置有外部连接端子;
引线框架,其具有粘接部及载置部,所述粘接部粘接于所述有机基板的另一个面;
半导体存储芯片,其载置于所述载置部;以及
树脂模铸部,其使所述外部连接端子露出而封装所述有机基板、所述引线框架以及所述半导体存储芯片,并且俯视呈大致方形形状;
所述有机基板被单片化为在粘接于所述粘接部的状态下、俯视所述有机基板与所述载置部不重叠的部分这一方比所述有机基板与所述载置部重叠的部分大的形状;
在所述引线框架,以从所述载置部及所述粘接部的至少一方朝向所述树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,
所述延伸部,与其靠所述载置部或所述粘接部侧的根基部分相比,其与所述树脂模铸部的外部的边界部分这一方俯视形成得细。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,
在所述引线框架,以朝向所述树脂模铸部的至少一条边延伸的方式形成有多个所述延伸部。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,
所述有机基板的一部分与所述延伸部的一部分俯视重叠。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,
从所述粘接部朝向所述树脂模铸部的2条边延伸有2个所述延伸部。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,还具备:
搭载于所述有机基板的另一个面的控制芯片。
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置,其中,
在所述有机基板形成有内部布线,
所述内部布线与所述半导体存储芯片之间以及所述内部布线与所述控制芯片之间用接合引线连接,所述控制芯片与所述半导体存储芯片经由所述内部布线电连接。
8.根据权利要求7所述的半导体存储装置,其中,
在所述有机基板形成有内部布线,
所述控制芯片与所述外部连接端子经由所述内部布线电连接。
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置,还具备:
搭载于所述有机基板的另一个面的电子部件。
10.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,
所述半导体存储芯片为NAND型闪存。
11.一种半导体存储装置的制造方法,包括:
将在一个面形成有外部连接端子的有机基板单片化为所述有机基板与载置部不重叠的部分这一方比所述有机基板与所述载置部重叠的部分大的俯视形状,所述载置部形成于引线框架而载置半导体存储芯片;
所述引线框架具有从所述载置部延伸的粘接部,将所述粘接部粘接于所述有机基板的另一个面;
形成使所述外部连接端子露出而封装所述有机基板、所述引线框架以及所述半导体存储芯片的树脂模铸部;
在所述引线框架,以从所述载置部及所述粘接部的至少一方朝向所述树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成多个延伸部。
12.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法,包括:
在所述有机基板的另一个面安装控制芯片。
13.根据权利要求12所述的半导体存储装置的制造方法,包括:
在所述有机基板形成内部布线;
用接合引线连接所述内部布线与控制芯片,用接合引线连接所述内部布线与所述半导体存储芯片,经由所述内部布线将所述控制芯片与所述半导体存储芯片电连接。
14.根据权利要求12所述的半导体存储装置的制造方法,包括:
在所述有机基板形成与所述外部连接端子电连接的内部布线;
用接合引线连接所述控制芯片与所述内部布线,经由所述内部布线与所述外部连接端子电连接。
15.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法,包括:
在所述有机基板的另一个面安装电子部件。
16.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法,其中,
所述半导体存储芯片为NAND型闪存。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的