[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
申请号: | 201110052405.6 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102201414A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 石井齐;奥村尚久 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L23/495;H01L21/8247;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
本申请要求2010年3月26日提交的日本专利申请2010-72921的优先权,该日本专利申请的全部内容被引用在本申请中。
技术领域
本实施方式一般地涉及半导体存储装置及其制造方法。
背景技术
近年来,作为便携电话机、个人计算机等电子设备的存储装置,广泛使用采用了NAND型闪存等存储元件的半导体存储装置。作为在电子设备中所使用的半导体存储装置,能够例示存储卡(半导体存储卡)。
在半导体存储装置中,半导体存储卡、控制芯片等半导体芯片被搭载于形成有外部端子的布线基板上。半导体芯片的电极应用引线接合而与布线基板的连接焊盘电连接,进而以覆盖半导体芯片整体的方式进行树脂封装。
在扩展这样的半导体存储装置的使用中,正在推进半导体存储装置的制造成本的抑制。例如,公开了下述技术:对布线基板,使用由比较高价的材料构成的有机基板,通过将该有机基板的形状制成为俯视L字状,来抑制有机基板的使用量从而抑制半导体存储装置的制造成本。
但是,在半导体存储装置中,占据比较大的区域的半导体存储芯片的载置区域由有机基板构成。因此,制造成本的抑制效果容易变得有限。
发明内容
本发明的实施方式提供能够抑制有机基板的使用量而实现制造成本的抑制的半导体存储装置及其制造方法。
根据实施方式,提供一种半导体存储装置,其具备:在一个面设置有外部连接端子的有机基板;和半导体存储芯片。半导体存储装置还具备引线框架,该引线框架具有粘接于有机基板的另一个面的粘接部及载置半导体存储芯片的载置部。另外,还具备树脂模铸部,其使外部连接端子露出而封装有机基板、引线框架以及半导体存储芯片,并且俯视呈大致方形形状。有机基板,被单片化为在粘接于粘接部的状态下、俯视与载置部基本不重叠的形状。在引线框架,以从载置部以及粘接部的至少一方朝向树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。
根据本发明的实施方式的半导体存储装置及其制造方法,能够抑制有机基板的使用量而实现制造成本的抑制。
附图说明
图1是表示实施方式的半导体存储装置的外观的俯视图。
图2是表示图1所示的半导体存储装置的外观的仰视图。
图3是示意性地表示图1所示的半导体存储装置的内部结构的图。
图4是表示沿着图1所示的半导体存储装置的A-A线的剖面构造的横截面图。
图5是有机基板的仰视图。
图6是引线框架的俯视图。
图7是用于说明半导体存储装置的制造工序的流程图。
图8是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图9是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图10是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图11是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图12是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图13是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图14是示意性地表示作为比较例的半导体存储装置的内部结构的图。
图15是表示图14所示的半导体存储装置的剖面构造的横截面图。
具体实施方式
以下参照附图,详细地说明实施方式的半导体存储装置及其制造方法。另外,本发明并不由该实施方式所限定。
图1是表示实施方式的半导体存储装置的外观的俯视图。图2是表示图1所示的半导体存储装置的外观的仰视图。图3是示意性地表示图1所示的半导体存储装置的内部结构的图。图4是表示沿着图1所示的半导体存储装置的A-A线的剖面构造的横截面图。半导体存储装置10例如是Micro SD卡(注册商标)。
半导体存储装置10具备:有机基板11、引线框架13、半导体存储芯片15、控制芯片16、电子部件17和树脂模铸部18。半导体存储装置10,如图1以及图2所示,以在底面侧使外部连接端子19露出的状态,由树脂模铸部18覆盖其外周。半导体存储装置10,通过被树脂模铸部18覆盖而俯视呈大致方形形状。
有机基板11是例如在绝缘性树脂基板的内部和/或表面设置有布线网的基板,兼作元件搭载基板和端子形成基板。作为这样的有机基板11,使用采用了玻璃环氧树脂和/或BT树脂(双马来酰亚胺三嗪树脂)等的印刷布线板。虽然省略详细的图示,但有机基板11为多层构造,按各层所使用的材料有时不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的