[发明专利]布线层、半导体装置、具有半导体装置的液晶显示装置有效
| 申请号: | 201080048436.8 | 申请日: | 2010-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN102576675A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | 高泽悟;白井雅纪;石桥晓 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;G02F1/1343;G02F1/1368;H01L21/28;H01L23/52;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种不从氧化物薄膜剥离并且铜原子不扩散到氧化物薄膜中的电极膜。由作为Cu-Mg-Al的薄膜的高紧贴性阻挡膜(37)和铜薄膜(38)构成布线层,使高紧贴性阻挡膜(37)与氧化物薄膜接触。对于高紧贴性阻挡膜(37)来说,在将铜、镁、铝的总计原子数设为100at%时,若在0.5at%以上且5at%以下的范围含有镁、在5at%以上且15at%以下的范围中含有铝,则兼顾紧贴性和阻挡性,得到附着力强、铜原子不扩散的布线层(50a、50b)。 | ||
| 搜索关键词: | 布线 半导体 装置 具有 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种在氧化物薄膜上配置并被构图的布线层,其中,所述布线层具有与所述氧化物薄膜接触的高紧贴性阻挡膜和在所述高紧贴性阻挡膜上配置的铜薄膜,所述高紧贴性阻挡膜含有铜、镁、铝,在将铜、镁、铝的总计原子数设为100at%时,镁的含有率为0.5at%以上且5at%以下的范围、铝的含有率为5at%以上且15at%以下的范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





