[发明专利]布线层、半导体装置、具有半导体装置的液晶显示装置

权利要求书

1.一种在氧化物薄膜上配置并被构图的布线层，其中，

所述布线层具有与所述氧化物薄膜接触的高紧贴性阻挡膜和在所述高紧贴性阻挡膜上配置的铜薄膜，

所述高紧贴性阻挡膜含有铜、镁、铝，在将铜、镁、铝的总计原子数设为100at％时，镁的含有率为0.5at％以上且5at％以下的范围、铝的含有率为5at％以上且15at％以下的范围。

2.一种半导体装置，其中，具有：

权利要求1所述的布线层；

半导体层；

栅极绝缘膜，形成在所述半导体层上；以及

栅极电极膜，隔着所述栅极绝缘膜与所述半导体层对置，

在所述半导体层，在与所述栅极电极膜对置的部分设置有沟道区域，在所述沟道区域的两侧设置有源极区域和漏极区域，

所述栅极绝缘膜由所述氧化物薄膜构成，所述布线层以使所述高紧贴性阻挡膜与所述栅极绝缘膜接触的方式配置。

3.一种半导体装置，具有：

源极电极层和漏极电极层，由权利要求1所述的布线层构成；

半导体层；

栅极绝缘膜，形成在所述半导体层上；以及

栅极电极膜，隔着所述栅极绝缘膜与所述半导体层对置，

在所述半导体层，在与所述栅极电极膜对置的部分设置有沟道区域，在所述沟道区域的两侧设置有源极区域和漏极区域，

所述源极电极层和所述漏极电极层分别与所述源极区域和所述漏极区域接触，

在所述源极电极层和所述漏极电极层上配置有所述氧化物薄膜，

其中，

所述布线层以使所述高紧贴性阻挡膜与所述氧化物薄膜接触的方式配置。

4.一种液晶显示装置，其中，具有：

权利要求2或权利要求3的任意一项所述的半导体装置；

玻璃基板；

像素电极层，形成在所述玻璃基板上；

液晶，位于所述像素电极层上；以及

上部电极层，位于所述液晶上，

所述源极电极层或漏极电极层的任意一个利用所述布线层与所述像素电极层连接，

利用所述半导体装置切换施加在所述像素电极层和所述上部电极层之间的电压，在所述像素电极层和所述上部电极层之间具有液晶。