[发明专利]半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体表面用处理剂组合物以及以使用该组合物为特征的半导体表面的处理方法，所述半导体表面用处理剂组合物能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层、抗蚀剂层和抗蚀剂固化层剥离。本发明是关于半导体表面用处理剂组合物的发明，其特征在于，该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式[1]表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物；并且本发明是关于半导体表面的处理方法的发明，其特征在于，该方法使用该组合物。式中，R¹表示碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基，R²表示氢原子、碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基。

主权项

1.一种半导体表面用处理剂组合物，其特征在于，该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式[1]表示的羟胺衍生物组成的组中的至少一种化合物，式中，R¹表示碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1个～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基，R²表示氢原子、碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1个～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基。