[发明专利]半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法。更详细地说，本发明涉及如下的半导体表面用处理剂组合物和半导体表面的处理方法：所述半导体表面用处理剂组合物能够将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离，进一步地，其不仅能剥离防反射膜层，还能将作为防反射膜层上层的抗蚀剂层和蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离；所述半导体表面的处理方法的特征在于使用上述组合物。

背景技术

现有技术中，例如IC、LSI等半导体元件如下制造：通过蒸镀法等在硅晶片等基板上形成导电性金属膜、绝缘层、低电介质层，在所形成的导电性金属膜、绝缘层、低电介质层之上涂布用于抑制曝光时的光散射(乱射)的防反射膜层和抗蚀剂层，然后对其选择性曝光、显影，形成抗蚀剂图案后，以该抗蚀剂图案为掩模，选择性地对导电性金属膜、绝缘层、低电介质层、防反射膜层进行蚀刻，从而形成微细的电路，进而，通过灰化等对抗蚀剂层等进行灰化，由此将抗蚀剂层和防反射膜层剥离后，利用清洗(剥离)液等对灰化工序等中残留的抗蚀剂层的残渣和防反射膜层的残渣进行处理，由此制造半导体元件。

另一方面，迄今已知各种抗蚀剂剥离剂(例如专利文献1、专利文献2等)，使用这些抗蚀剂剥离剂对上述蚀刻后的基板进行处理的情况下，对于原本就没有涂布防反射膜层的基板是有效的，但对于涂布有防反射膜层的基板，则存在虽然能够剥离抗蚀剂层但是难以剥离防反射膜层的问题，现在的状况是，旨在同时剥离抗蚀剂层和防反射膜层这两层时，要依赖于灰化等技术。但是，这些技术(灰化等)需要大型的设备，或者在要求超微细的电路的现状中，需要在灰化工序后将经灰化的抗蚀剂层的残渣和防反射膜层的残渣等清洗(剥离)，存在工序繁杂等问题。

在这样的情况下，寻求一种基于简单方法(例如，不需要上述那样的大型装置等)的防反射膜层的剥离方法，期待存在满足这一要求的试剂，期待存在不仅能剥离防反射膜层还能剥离抗蚀剂层的试剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-241414号公报

专利文献2：日本特开2006-106616号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明要解决的技术问题在于提供一种半导体表面用处理剂组合物和以使用该组合物为特征的半导体表面的处理方法，所述半导体表面用处理剂组合物不仅能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离，还能够将防反射膜层及涂布于其上层的抗蚀剂层这两层剥离，进而还能够将蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离。

用于解决问题的方案

本发明是半导体表面用处理剂组合物的发明，其特征在于，该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式[1]

(式中，R¹表示碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基，R²表示氢原子、碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基。)表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物。

另外，本发明是半导体表面的处理方法的发明，其特征在于，该方法使用下述半导体表面用处理剂组合物，所述半导体表面用处理剂组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和上述通式[1]表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物。

发明效果

本发明的半导体表面用处理剂组合物能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离，而不会给半导体基板表面的铜布线和存在于防反射膜层的下部的Low-k膜等绝缘膜带来不良影响，该组合物通过将〔IV〕有机溶剂、〔V〕选自由羟胺和上述通式[1]表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物等与〔I〕在水中产生氟离子(氟化物离子)的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、以及〔III〕水组合，能够在短时间内有效地剥离防反射膜层以及抗蚀剂层。

另外，本发明的半导体表面的处理方法是用于简便且在短时间内将防反射膜层和抗蚀剂层剥离的有效方法，使用〔II〕碳自由基产生剂作为自由基产生源时，如上所述，能够容易地剥离防反射膜层而不会给例如半导体基板表面的铜布线和存在于防反射膜层的下部的Low-k膜等绝缘膜带来不良影响。