[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080009373.5 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102334186A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 渡边昌和;仓持贵;畑内政弘 | 申请（专利权）人： | 安森美半导体贸易公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 百慕大*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(10)具有：分离的岛部(12A)及岛部(12B)、一端接近岛部(12A，12B)的引线(14)、固定安装在岛部(12A)上并经由金属细线(24C)与引线(14E)连接的控制元件(20)、固定安装在岛部(12B)上并经由金属细线(26)与引线(14E)连接的开关元件(18)。进而，金属细线(24C)与金属细线(26)交叉而配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：相互分离而形成的第一岛部及第二岛部、固定安装在所述第一岛部的上表面的第一半导体元件、固定安装在所述第二岛部的上表面的第二半导体元件、配置在所述第一岛部及所述第二岛部的一侧边的一端侧的引线、将所述第一半导体元件的电极和所述引线的所述一端侧的上表面连接的第一金属细线、将所述第二半导体元件的电极和所述引线的另一端侧的上表面连接的第二金属细线，所述第一金属细线在所述第二金属细线的上方延伸，并且，在俯视时，所述第一金属细线与所述第二金属细线交叉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安森美半导体贸易公司，未经安森美半导体贸易公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080009373.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于锂离子电池的一维壳核结构材料及其制备方法
- 下一篇：一种椅子
- 同类专利
- 专利分类
