[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

相互分离而形成的第一岛部及第二岛部、

固定安装在所述第一岛部的上表面的第一半导体元件、

固定安装在所述第二岛部的上表面的第二半导体元件、

配置在所述第一岛部及所述第二岛部的一侧边的一端侧的引线、

将所述第一半导体元件的电极和所述引线的所述一端侧的上表面连接的第一金属细线、

将所述第二半导体元件的电极和所述引线的另一端侧的上表面连接的第二金属细线，

所述第一金属细线在所述第二金属细线的上方延伸，并且，在俯视时，所述第一金属细线与所述第二金属细线交叉。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体元件是由MOSFET或双极型晶体管或IGBT形成的开关元件，所述第一半导体元件是控制所述开关元件的控制元件。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，与所述开关元件连接的所述控制元件的电极设置在相当于两个所述岛部的一侧边的一端侧的所述控制元件的一端。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，多根所述第二金属细线与所述开关元件的电流流入侧或电流流出侧的电极连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，两个所述岛部及两个所述半导体元件被绝缘性树脂密封，在与所述第一岛部及所述第二岛部的一侧边相对的另一侧边侧上，设有注入所述绝缘性树脂的浇口。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

准备第一岛部、与所述第一岛部分离而形成的第二岛部、一端接近所述第一岛部或所述第二岛部的多根引线，在所述第一岛部的上表面固定安装第一半导体元件，在所述第二岛部的上表面固定安装第二半导体元件的工序；

通过第一金属细线，将配置在所述第一岛部及所述第二岛部的一侧边的一端侧的引线和所述第一半导体元件连接，通过与所述第一金属细线交叉的第二金属细线，将所述引线和所述第二半导体元件连接的工序；

将两个所述岛部及所述引线的一部分收纳在模具的型腔内，从与所述第一岛部及所述第二岛部的所述一侧边相对的另一侧边侧，向所述型腔内注入密封树脂的工序。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在注入所述密封树脂的工序中，由于所述密封树脂的注入压力而变形的所述第一金属细线与所述第二金属细线接触。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述连接工序中，通过多根所述第二金属细线连接所述第二半导体元件和所述引线；

在注入所述密封树脂的工序中，所述第一金属细线与多根所述第二金属细线接触。