[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法，特别是涉及经由金属细线连接的半导体元件被树脂密封的半导体装置及其制造方法。

背景技术

目前已经开发了将构成电源电路的开关元件与控制元件树脂密封成一个封装体的半导体装置(例如，参照日本特开2001-320009号公报)。

参照图6，说明该类型的半导体装置100的结构。该半导体装置100主要具有开关元件103、控制元件104、安装开关元件103的岛部101、安装控制元件104的岛部102、与控制元件104或开关元件103连接并向外部导出的引线106以及将上述各部件一体地密封的密封树脂107。

开关元件103例如为分立型MOSFET，其背面的漏极电极连接在岛部101上，其表面的栅极电极与控制元件104连接，其表面的源极电极经由金属细线105连接在引线106D上。另一方面，由LSI构成的控制元件104在其表面上设有多个电极，经由金属细线105与开关元件103和引线106A、106B连接。

而且，从密封树脂107的侧面导出引线106A至106E，通过将这些引线插入安装基板，可以插入安装半导体装置100。

一方面，在开关元件103的背面电极上需要施加数百伏的高电压，而另一方面，控制开关104的背面需要与周围绝缘。因此，如果将开关元件103和控制元件104使用导电性接合材料固定安装在同一岛部上，则背面施加有高电压的控制元件104可能出现误动作。

为了防止该误动作的发生，在半导体装置100中，将安装开关元件103的岛部101与安装控制元件104的岛部102分开而形成，由此，可以排除施加在开关元件103上的电压对控制元件所产生的坏影响。

另外，具有上述结构的半导体装置的制造方法如下所述。首先，通过对一枚导电箔施行蚀刻加工或冲压加工，形成如图6所示的形状的岛部101、岛部102及引线106。然后，在岛部101的上表面固定安装开关元件103，在岛部102的上表面固定安装控制元件104。进而，经由金属细线105，将开关元件103及控制元件104与规定的引线连接。接着，将岛部101、岛部102及引线106收纳在模具的型腔内之后，向该型腔注入密封树脂107，进行树脂密封的工序。

然而，在上述的半导体装置100中，在树脂密封的工序中出现金属细线与引线106B的前端部接触的问题。

具体地说，在上述树脂密封的工序中，按照图6所示的箭头的方向，以高压向型腔中注入液态或半固态的密封树脂107。由此，各金属细线承受由注入的密封树脂所产生的压力，特别是金属细线105A承受由密封树脂所产生的较大的压力。其理由是，因为金属细线105A与控制元件104及配置在端部的引线106A连接，所以，相对密封树脂的流向倾斜的角度大。因此，由于密封树脂注入所产生的压力，使金属细线105A弯曲成虚线所示的形状，导致与邻接的引线106B接触。如果维持金属细线105A与引线106B接触的状态而使密封树脂107硬化，则因为在使用状况下金属细线105A与引线106B发生短路而产生不良情况。

发明内容

本发明鉴于上述问题而提出，本发明的主要目的在于，提供能够防止在树脂密封工序中因树脂的注入压力而导致金属细线短路的半导体装置及其制造方法。

本发明的半导体装置的特征在于，具有：相互分离而形成的第一岛部及第二岛部、固定安装在所述第一岛部的上表面的第一半导体元件、固定安装在所述第二岛部的上表面的第二半导体元件、配置在所述第一岛部及所述第二岛部的一侧边的一端侧的引线、将所述第一半导体元件的电极和所述引线的所述一端侧的上表面连接的第一金属细线，以及将所述第二半导体元件的电极和所述引线的另一端侧的上表面连接的第二金属细线，所述第一金属细线在所述第二金属细线的上方延伸，并且，在俯视时，所述第一金属细线与所述第二金属细线交叉。

本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具有如下工序：准备第一岛部、与所述第一岛部分离而形成的第二岛部、一端接近所述第一岛部或所述第二岛部的多根引线，在所述第一岛部的上表面固定安装第一半导体元件，在所述第二岛部的上表面固定安装第二半导体元件的工序；通过第一金属细线连接配置在所述第一岛部及所述第二岛部的一侧边的一端侧的引线和所述第一半导体元件，通过与所述第一金属细线交叉的第二金属细线连接所述引线和所述第二半导体元件的工序；将两个所述岛部及所述引线的一部分收纳在模具的型腔内，从与所述第一岛部及所述第二岛部的所述一侧边相对的另一侧边侧，向所述型腔内注入密封树脂的工序。