[发明专利]半导体精细图形及鳍形场效应管的FIN体的制作方法无效
| 申请号： | 201010612857.0 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102129982A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;黄如;韩汝琦 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种精细图形的制作方法，包括：在待加工材料的表面上形成牺牲层，对牺牲层进行粗加工以形成粗加工图形，并在牺牲层的表面上形成覆盖层；从形成的粗加工图形的侧面对牺牲层进行选择性腐蚀，使之平面尺寸减小到所需要的尺度，得到牺牲层精细图形；去除覆盖层；以牺牲层精细图形为掩膜，刻蚀待加工材料以形成待加工材料的精细图形。本发明采用由粗到细的思路，先得到牺牲层粗加工图形，再通过侧面腐蚀以得到牺牲层精细图形，将其作为掩膜刻蚀待加工材料以形成待加工材料的精细图形，整个方案中所形成的精细图形不受光刻和刻蚀技术水平的限制，制作方法实现简单，与传统制作工艺兼容，可控性好，成本低，具有很强的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 精细 图形 场效应 fin 制作方法 | ||
【主权项】：
一种精细图形的制作方法，其特征在于，包括：在待加工材料的表面上形成牺牲层，对所述牺牲层进行粗加工以形成粗加工图形，并在牺牲层的表面上形成覆盖层；从形成的粗加工图形的侧面对所述牺牲层进行选择性腐蚀，使之平面尺寸减小到所需要的尺度，得到牺牲层精细图形；去除所述覆盖层；以所述牺牲层精细图形为掩膜，刻蚀所述待加工材料以形成待加工材料的精细图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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