[发明专利]发光二极管、制造磷光体层的方法和发光装置有效
| 申请号： | 201010592259.1 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102097425A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 金镇夏;金奎相;郑宰有;全忠培 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/06;H01L33/50;H01L33/56;H01L33/62;H01L33/00;F21S2/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王青芝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管、制造磷光体层的方法和发光装置，所述发光二极管包括：发光二极管芯片，包括基底和设置在基底上的发光结构；磷光体层，被形成为覆盖二极管上表面和二极管下表面中的至少一个表面，当从发光结构上方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管上表面，当从基底下方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管下表面。以这样的方式形成磷光体层，即，使得磷光体层不与二极管上表面或二极管下表面偏离，并具有与二极管上表面或二极管下表面平行的平坦表面和将所述平坦表面连接到二极管上表面的角落或二极管下表面的角落的弯曲表面。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 磷光体 方法 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括：发光二极管芯片，包括基底和设置在基底上的发光结构；磷光体层，被形成为覆盖二极管上表面和二极管下表面中的至少一个表面，其中，当从发光结构上方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管上表面，当从基底下方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管下表面，其中，以这样的方式形成磷光体层，即，使得磷光体层不与二极管上表面或二极管下表面偏离，并具有与二极管上表面或二极管下表面平行的平坦表面以及将所述平坦表面连接到二极管上表面的角落或二极管下表面的角落的弯曲表面。
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