[发明专利]发光二极管、制造磷光体层的方法和发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

发光二极管芯片，包括基底和设置在基底上的发光结构；

磷光体层，被形成为覆盖二极管上表面和二极管下表面中的至少一个表面，其中，当从发光结构上方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管上表面，当从基底下方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管下表面，

其中，以这样的方式形成磷光体层，即，使得磷光体层不与二极管上表面或二极管下表面偏离，并具有与二极管上表面或二极管下表面平行的平坦表面以及将所述平坦表面连接到二极管上表面的角落或二极管下表面的角落的弯曲表面。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，发光二极管芯片还包括形成在二极管上表面的一部分上的键合焊盘。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，形成磷光体层以覆盖键合焊盘。

4.如权利要求3所述的发光二极管，所述发光二极管还包括连接到键合焊盘的导线。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，导线包括设置在与键合焊盘接触的区域中的键合部分，键合部分的宽度大于导线的其他部分的宽度。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其中，形成磷光体层以覆盖键合部分的至少一部分。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光结构包括n型半导体层、p型半导体层以及形成在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其中，基底为导电基底，以如下的方式形成发光结构，即，p型半导体层、有源层和n型半导体层以基底为基础顺序地设置。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其中，发光结构的上表面包括两个或多个表面，所述两个或多个表面被设置为在它们之间具有标高差距。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其中，形成磷光体层以覆盖发光结构的侧表面的至少一部分并且不覆盖基底的侧表面。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其中，磷光体层包括透明树脂和磷光体。

12.如权利要求11所述的发光二极管，其中，基于磷光体与透明树脂的重量比，磷光体层以磷光体的量是透明树脂的量的两倍或更多倍的比例包含磷光体。

13.如权利要求11所述的发光二极管，其中，磷光体层还包括透明的精细颗粒。

14.如权利要求13所述的发光二极管，其中，透明的精细颗粒包括从由SiO₂、TiO₂和Al₂O₃组成的组中选择的一种或多种材料。

15.如权利要求13所述的发光二极管，其中，基于磷光体与透明的精细颗粒的重量比，磷光体层以磷光体的量是透明的精细颗粒的量的两倍或更多倍的比例包含透明的精细颗粒。

16.一种制造磷光体层的方法，该方法包括以下步骤：

制备包括基底和设置在基底上的发光结构的发光二极管芯片；

通过将包含透明树脂、磷光体和溶剂的混合物施加到二极管上表面和二极管下表面中的至少一个表面上来形成覆盖二极管上表面或二极管下表面的磷光体层，其中，当从发光结构上方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管上表面，当从基底下方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管下表面，

其中，在形成磷光体层的过程中，溶剂从施加到二极管上表面或二极管下表面的混合物中蒸发，使得混合物的流动性下降。

17.如权利要求16所述的方法，其中，形成磷光体层的步骤包括加热施加到二极管上表面或二极管下表面的混合物。

18.如权利要求16所述的方法，其中，形成磷光体层的步骤包括在以螺旋形或Z字形移动含有所述混合物的分配器的同时执行分配工艺。

19.如权利要求16所述的方法，其中，形成磷光体层的步骤包括连续地施加混合物，从而保持混合物从二极管上表面或二极管下表面连接到分配器的状态。

20.如权利要求16所述的方法，所述方法还包括在形成磷光体层之前，在二极管上表面的一部分上形成键合焊盘。