[发明专利]发光二极管、制造磷光体层的方法和发光装置

说明书

本申请要求于2009年12月9日提交到韩国知识产权局的第2009-0121826号和于2010年11月16日提交到韩国知识产权局的第2010-0114123号韩国专利申请的优先权，这些申请公开的内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管、制造磷光体层的方法和发光装置，更具体地说，涉及一种包括具有施加有磷光体层以发射白光的表面的发光二极管芯片的发光二极管。

背景技术

近来，使用氮基半导体的发光二极管已经在许多领域中被用作白光源，以在诸如键盘、背光、交通灯、飞机跑道的引导灯和照明光的装置中应用。随着发光二极管芯片的应用多元化，已经非常重视封装发光二极管芯片的技术。

图1是根据现有技术的发光二极管封装的示意性剖视图。参照图1，根据现有技术的发光二极管封装件10包括设置在封装体12中的第一引线框架13和第二引线框架14以及安装在第一引线框架13上的发光二极管11。发光二极管11通过引线W电连接到第一引线框架13和第二引线框架14。封装体12具有杯形，封装体12的杯形的内部空间填充有树脂15以保护发光二极管11、引线W等。在这种情况下，能够转化从发光二极管11发射的光的波长的磷光体材料可分散在树脂15中，以发射白光。

在根据现有技术的发光二极管10的情况下，从树脂15的暴露到外部的表面发射光。因此，光源的展度(etendue)增大。这里，术语展度表示通过将光源的面积乘以发射的光的立体角获得的值。当光源的面积增大时，光源的展度增大。由于根据现有技术的发光二极管封装件10具有光通过具有分散在其中的磷光体的树脂发射的结构，所以展度太高，以至于难以将发光二极管封装件10应用到需要低的展度的应用中。此外，当使用根据现有技术的发光二极管时，发光二极管11所在的区域与发光二极管11的周围区域之间的色温差大。因此，当从上方观看穿过透镜而发射的光的辐射图案时，会出现被称作公牛眼的色斑。

发明内容

本发明的一方面提供一种在白光发射方面能够提高发光效率并减小产品之间的色温差的发光二极管。

本发明的另一方面提供一种制造磷光体层的方法，该方法能够提供有效的和容易的施加工艺。

本发明的另一方面提供一种使用发光二极管的发光装置。

根据本发明的一方面，提供一种发光二极管，所述发光二极管包括：发光二极管芯片，包括基底和设置在基底上的发光结构；磷光体层，被形成为覆盖二极管上表面和二极管下表面中的至少一个表面，其中，当从发光结构上方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管上表面，当从基底下方观察时，由发光二极管芯片形成的表面被定义为二极管下表面。以这样的方式形成磷光体层，即，使得磷光体层不与二极管上表面或二极管下表面偏离，并具有与二极管上表面或二极管下表面平行的平坦表面以及将所述平坦表面连接到二极管上表面的角落或二极管下表面的角落的弯曲表面。

发光二极管芯片还可包括形成在二极管上表面的一部分上的键合焊盘。

可以形成磷光体层以覆盖键合焊盘。

发光二极管还可包括连接到键合焊盘的导线。

导线可包括设置在与键合焊盘接触的区域中的键合部分，键合部分的宽度大于导线的其他部分的宽度。可形成磷光体层以覆盖键合部分的至少一部分。

发光结构可包括n型半导体层、p型半导体层以及形成在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层。

基底可为导电基底，以如下的方式形成发光结构，即，p型半导体层、有源层和n型半导体层以基底为基础顺序地设置。

发光结构的上表面可包括两个或多个表面，所述两个或多个表面被设置为在它们之间具有标高差异。

可形成磷光体层以覆盖发光结构的侧表面的至少一部分并且不覆盖基底的侧表面。

磷光体层可包括透明树脂和磷光体。

基于磷光体与透明树脂的重量比，磷光体层可以以磷光体的量是透明树脂的量的两倍或更多倍的比例包含磷光体。

磷光体层还可包括透明的精细颗粒。透明的精细颗粒可包括从由SiO₂、TiO₂和Al₂O₃组成的组中选择的一种或多种材料。

基于磷光体与透明的精细颗粒的重量比，磷光体层可以以磷光体的量是透明的精细颗粒的量的两倍或更多倍的比例包括透明的精细颗粒。