[发明专利]半导体组件的钝化层结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010555848.2 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102468244A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 孙文檠;林泽胜;游胜闵 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L31/048;H01L21/56;H01L31/18;C23C22/58;C23C22/34;C23C22/73;C23C22/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体组件的钝化层结构及其形成方法。该半导体组件的钝化层结构包括：半导体基板，钝化层结构，设置于该半导体基板上，其中该钝化层结构包括卤素掺杂的氧化铝层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 钝化 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体组件的钝化层结构，用于设置于半导体基板上，包括：钝化层结构，设置于该半导体基板上，其中该钝化层结构包括卤素掺杂的氧化铝层。
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