[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010290650.6 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102034791A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 南志昌;秋野胜 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体集成电路装置及其制造方法，提高了具有用于进行激光微调加工的熔断器元件的半导体集成电路装置的可靠性。通过将与相邻的熔断器元件连接的第1层的铝配线之间的间隔宽度设为小于第1层的金属间绝缘膜的侧壁厚度的2倍，由此来防止吸湿性的SOG的露出。并且，通过在第1层的铝配线的侧面设置侧墙，由此来进一步提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路装置，该半导体集成电路装置设置有：元件分离绝缘膜，其配置在半导体基板上；熔断器元件，其配置在所述元件分离绝缘膜上；绝缘膜，其配置在所述熔断器元件上；第1配线层，其经由设置在所述绝缘膜中的连接孔与所述熔断器元件连接；以及第1金属间绝缘膜、SOG及第2金属间绝缘膜，其设置在所述第1配线层与配置在该第1配线层的上方的第2配线层之间，该半导体集成电路装置的特征在于，与相邻的所述熔断器元件连接的所述第1配线层之间的间隔宽度小于所述第1金属间绝缘膜的侧壁厚度的2倍。
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