[发明专利]半导体装置及半导体装置的生产方法无效
| 申请号： | 201010256619.0 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101996956A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 奥山敦 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及半导体装置的生产方法，该连接焊盘具有由金属材料制造的露出表面，该金属材料比与其连接的配线层的金属更不容易扩散进入介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板；介电层，在所述基板的一侧；焊盘，在所述介电层的凹槽内；以及配线，连接到所述焊盘，其中，所述焊盘的至少露出的顶表面的区域由在绝缘层中的扩散性低于所述配线在绝缘层中的扩散性的金属材料制造，并且所述绝缘层形成在另一个基板上，所述绝缘层与其中包含有所述焊盘的所述介电层相邻。
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