[发明专利]半导体装置及半导体装置的生产方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基板；

介电层，在所述基板的一侧；

焊盘，在所述介电层的凹槽内；以及

配线，连接到所述焊盘，

其中，所述焊盘的至少露出的顶表面的区域由在绝缘层中的扩散性低于所述配线在绝缘层中的扩散性的金属材料制造，并且

所述绝缘层形成在另一个基板上，所述绝缘层与其中包含有所述焊盘的所述介电层相邻。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属材料为Au、Ag、Al、Ta、Ti、W、Sn、Mo、Ni、In、Co中的一种或它们中的任何种的合金。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属材料是铝或包含Al的合金。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述配线包含铜。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊盘的所述露出表面与所述介电层齐平。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中整个所述焊盘由所述金属制造。

7.一种半导体装置，包括：

第一半导体基板；

第一介电膜，形成在所述第一半导体基板的表面上；

第一焊盘，形成所述第一半导体基板上；

第二半导体基板；

第二介电膜，形成在所述第二半导体基板的表面上；

第二焊盘，形成在所述第二半导体基板上，以及

电连接到所述第二焊盘的配线，

其中，

所述第一焊盘和第二焊盘具有露出的接触区域，

所述第一半导体基板和所述第二半导体基板结合在一起，使所述第一焊盘的所述接触区域电连接到所述第二焊盘的所述接触区域，并且

所述第二焊盘的至少所述接触区域由在所述第一介电膜中的扩散性低于所述配线在所述第一介电膜中的扩散性的金属材料形成。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述金属材料延伸跨越所述第二焊盘的整个所述露出表面。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述金属材料是Au、Ag、Al、Ta、Ti、W、Sn、Mo、Ni、In、Co中的一种或它们中的任何种的合金。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述配线包含铜。

11.如权利要求7所述的半导体装置，其中整个所述第二焊盘由所述金属材料形成。

12.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二焊盘还包括在所述接触区域下的基底区域，所述基底区域和所述配线由相同的材料形成。

13.如权利要求7所述的半导体装置，还包括：

形成在所述第一半导体基板上并且电连接到所述第一焊盘的配线，

其中，所述第一焊盘的至少所述接触区域包含在所述第二介电膜中的扩散性低于所述第一半导体基板的所述配线在所述第二介电膜中的扩散性的金属材料。

14.如权利要求7所述的半导体装置，其中整个所述第一焊盘由所述金属材料制造。

15.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二焊盘的所述接触区域大于所述第一焊盘的所述接触区域。

16.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二焊盘的所述接触区域的尺寸和所述第一焊盘的所述接触区域的尺寸大致相同。

17.如权利要求7所述的半导体装置，还包括：

第一金属阻挡层，形成在所述第一焊盘和所述第一介电膜之间，所述第一金属阻挡层有效地防止所述第一焊盘的金属扩散进入所述第一介电膜。

18.如权利要求7所述的半导体装置，还包括：

第二金属阻挡层，形成在所述第二焊盘和所述第二介电膜之间，所述第二金属阻挡层有效地防止所述第二焊盘的金属扩散进入所述第二介电膜。

19.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一焊盘的形状与所述第二焊盘的形状不同。

20.如权利要求7所述的半导体装置，还包括：

防扩散层，形成在所述第二介电膜上，所述防扩散层有效地防止所述第一焊盘的金属材料扩散进入所述第二介电膜，

其中，所述第二焊盘经由所述防扩散层露出。