[发明专利]半导体装置与其制造方法有效
| 申请号： | 201010207478.3 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102163588A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 郭宏瑞;刘重希;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在半导体基底上形成的半导体装置与其制造方法，该半导体基底具有第一表面与第二表面，包含多个元件在第一表面上，多个贯穿硅导通孔(TSVs)在半导体基底内，由第一表面延伸至第二表面，保护层覆盖位于半导体基底的第一表面上的所述多个元件，多个有源导电柱设置在保护层上，具有第一高度，每个有源导电柱与所述多个元件中的至少一个电性连接，多个伪导电柱设置在保护层上，具有第二高度，每个伪导电柱与所述多个元件电性隔绝，第一高度与第二高度大抵上相同。本发明结合了导电柱与贯穿硅导通孔的制造方法，以满足工艺的可靠度以及高度整合性的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一第一半导体装置，包括：一半导体基底，具有一第一表面与一第二表面，其中该半导体基底包含多个元件设置于该第一表面上；多个贯穿硅导通孔，设置在该半导体基底内，由该第一表面延伸至该第二表面；一保护层，覆盖在该半导体基底的该第一表面上的所述多个元件之上；多个有源导电柱，设置在该保护层上，具有一第一高度，其中每个有源导电柱与所述多个元件中的至少一个电性连接；以及多个伪柱，设置在该保护层上，具有一第二高度，其中每个伪柱与所述多个元件电性隔绝，其中该第一高度与该第二高度相同。
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