[发明专利]一种功率MOSFET封装体及其封装方法有效
| 申请号： | 201010177400.1 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101859755A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张江元;柳丹娜;李志宁 | 申请（专利权）人： | 上海凯虹科技电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201612 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率MOSFET封装体，包括第一芯片、第二芯片和引线框架，所述第一和第二芯片均为功率MOSFET芯片，每个芯片的正面均设置有一源极和一栅极，背面设置有一漏极，所述引线框架具有多个引脚，两个芯片并列贴装在引线框架上，第一芯片的正面和第二芯片的背面朝向引线框架，第二芯片背面的漏极与第一芯片的源极贴装在引线框架的同一引脚上。本发明将两个MOSFET芯片颠倒贴装在引线框架上，并将一个芯片的漏极和另一个芯片的源极贴装在同一引脚上，通过此特别的封装方式，实现了现有技术中两个封装体才能完成的功能，并使封装体最小化；并节省了PCB的空间，简化了PCB的布线工艺和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 封装 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET封装体，包括第一芯片、第二芯片和引线框架，所述第一和第二芯片均为功率MOSFET芯片，每个芯片的正面均设置有一源极和一栅极，背面设置有一漏极，所述引线框架具有多个引脚，其特征在于：两个芯片并列贴装在引线框架上，第一芯片的正面和第二芯片的背面朝向引线框架，第二芯片背面的漏极与第一芯片的源极贴装在引线框架的同一引脚上。
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