[发明专利]一种功率MOSFET封装体及其封装方法

权利要求书

1.一种功率MOSFET封装体，包括第一芯片、第二芯片和引线框架，所述第一和第二芯片均为功率MOSFET芯片，每个芯片的正面均设置有一源极和一栅极，背面设置有一漏极，所述引线框架具有多个引脚，其特征在于：两个芯片并列贴装在引线框架上，第一芯片的正面和第二芯片的背面朝向引线框架，第二芯片背面的漏极与第一芯片的源极贴装在引线框架的同一引脚上。

2.根据权利要求1所述的功率MOSFET封装体，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片同引线框架之间的连接方式各自分别选自于导电焊料相互焊接和导电薄膜相互粘贴中的一种。

3.根据权利要求2所述的功率MOSFET封装体，其特征在于，所述导电焊料含有金属和树脂。

4.根据权利要求2所述的功率MOSFET封装体，其特征在于，所述导电薄膜是含有金属成分的树脂薄膜。

5.根据权利要求3或4所述的功率MOSFET封装体，其特征在于，所述金属为银。

6.根据权利要求2所述的超薄芯片的倒装式封装方法，其特征在于，所述导电薄膜的厚度范围是10μm至50μm。

7.根据权利要求1所述的功率MOSFET封装体，其特征在于，第一芯片正面的源极和栅极以及第二芯片背面的漏极与引线框架对应的引脚之间采用导电金属片相互连接。

8.一种权利要求1所述封装体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供两种晶圆，所述两种晶圆分别具有多个待封装的第一芯片或者第二芯片，每个芯片的正面均设置有一源极和一栅极，背面设置有一漏极；

在每个第一芯片的正面以及每个第二芯片的背面的焊盘上粘贴导电薄膜，所述导电薄膜的上下表面均具有粘性；

将粘贴有导电薄膜的两种晶圆都切割成独立的第一芯片和第二芯片；

将导电薄膜与引线框架对应的引脚相互对准，从而将第一芯片和第二芯片粘贴在引线框架上，第二芯片背面的漏极与第一芯片的源极贴装在引线框架的同一引脚；

将第一芯片的背面与第二芯片的正面的焊盘电学连接至引线框架对应的引脚上。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在焊盘表面粘贴导电薄膜的步骤进一步包括：

提供一支撑层；

在所述支撑层的表面上形成一层连续的导电薄膜；

图形化所述导电薄膜，使其位置和形状与焊盘相互对应；

将焊盘与图形化的导电薄膜相互对准，从而将晶圆粘贴在所述支撑层的表面上；

将支撑层移除，从而将图形化的导电薄膜粘贴在晶圆表面的焊盘上。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述导电薄膜的两个表面具有不同的粘附强度，并采用粘附强度较低的一个表面与支撑层相互粘贴，以有利于粘贴至焊盘后将支撑层移除。

11.一种权利要求1所述封装体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供两种晶圆，所述两种晶圆分别具有多个待封装的第一芯片或者第二芯片，每个芯片的正面均设置有一源极和一栅极，背面设置有一漏极；

在每个第一芯片的正面粘贴导电薄膜，所述导电薄膜的上下表面均具有粘性；

将两种晶圆各自切割成独立的第一芯片和第二芯片；

将导电薄膜与引线框架对应的引脚相互对准，从而将第一芯片粘贴在引线框架上；

采用导电焊料将第二芯片焊接在引线框架对应的引脚上，第二芯片背面的漏极与第一芯片的源极贴装在引线框架的同一引脚；

将第一芯片的背面与第二芯片的正面的焊盘电学连接至引线框架对应的引脚上。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述将第二芯片焊盘焊接至引线框架对应的引脚上的步骤中，采用的是片式焊接工艺。